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Fórmula Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

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O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície. Verifique FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Parâmetro do Processo de Fabricação?N_P - Concentração de Dopagem do Substrato P?C_ox - Capacitância de Óxido?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?

Exemplo de Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Próxima Etapa Avalie

∴

γ = 204.204864690003

Último passo Resposta de arredondamento

∴

γ = 204.2049

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Parâmetro do Processo de Fabricação

O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.

Símbolo: γ

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro do Processo de Fabricação

Concentração de Dopagem do Substrato P

A concentração de dopagem do substrato P é o número de impurezas adicionadas ao substrato. É a concentração total de íons aceitadores.

Símbolo: N_P

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Substrato P

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

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Como avaliar Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS?

O avaliador Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS usa Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido para avaliar Parâmetro do Processo de Fabricação, O parâmetro do processo de fabricação de NMOS é o processo que começa com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície. Parâmetro do Processo de Fabricação é denotado pelo símbolo γ.

Como avaliar Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS, insira Concentração de Dopagem do Substrato P (N_P) & Capacitância de Óxido (C_ox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS?

A fórmula de Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS é expressa como Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido. Aqui está um exemplo: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Como calcular Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS?

Com Concentração de Dopagem do Substrato P (N_P) & Capacitância de Óxido (C_ox) podemos encontrar Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS usando a fórmula - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido. Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do vácuo constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

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