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Fórmula Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

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O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L). Verifique FAQs

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

K_n - Parâmetro de Transcondutância?i_d - Corrente de drenagem?V_ox - Tensão através do óxido?V_t - Tensão de limiar?V_gs - Tensão entre Gate e Fonte?

Exemplo de Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Parâmetro de transcondutância do transistor MOS com valores.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de transcondutância do transistor MOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de transcondutância do transistor MOS.

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

2.9518mA/V² = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Parâmetro de transcondutância do transistor MOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Parâmetro de transcondutância do transistor MOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

K n = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

K n = \frac{0.0175A}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

K n = \frac{0.0175}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Próxima Etapa Avalie

∴

K n = 0.00295184279328667A/V²

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

K n = 2.95184279328667mA/V²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

K n = 2.9518mA/V²

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS Fórmula Elementos

Variáveis

Parâmetro de Transcondutância

O parâmetro de transcondutância é o produto do parâmetro de transcondutância do processo e a relação de aspecto do transistor (W/L).

Símbolo: K_n

Medição: Parâmetro de TranscondutânciaUnidade: mA/V²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância

Corrente de drenagem

A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.

Símbolo: i_d

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem

Tensão através do óxido

A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.

Símbolo: V_ox

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão através do óxido

Tensão de limiar

A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

Símbolo: V_t

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão entre Gate e Fonte

A tensão entre a porta e a fonte é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Fonte

Outras fórmulas na categoria Características do amplificador transistorizado

Ir Tensão de dreno instantânea total

V d = V fc - R d \cdot i d

Ir Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Tensão de entrada no transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

Ver mais

Como avaliar Parâmetro de transcondutância do transistor MOS?

O avaliador Parâmetro de transcondutância do transistor MOS usa Transconductance Parameter = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte) para avaliar Parâmetro de Transcondutância, O parâmetro de transcondutância do transistor MOS é uma medida da capacidade do transistor de controlar o fluxo de corrente em resposta a uma tensão aplicada em seus terminais de porta e fonte. Parâmetro de Transcondutância é denotado pelo símbolo K_n.

Como avaliar Parâmetro de transcondutância do transistor MOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Parâmetro de transcondutância do transistor MOS, insira Corrente de drenagem (i_d), Tensão através do óxido (V_ox), Tensão de limiar (V_t) & Tensão entre Gate e Fonte (V_gs) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Qual é a fórmula para encontrar Parâmetro de transcondutância do transistor MOS?

A fórmula de Parâmetro de transcondutância do transistor MOS é expressa como Transconductance Parameter = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte). Aqui está um exemplo: 2951.843 = 0.0175/((3.775-2)*3.34).

Como calcular Parâmetro de transcondutância do transistor MOS?

Com Corrente de drenagem (i_d), Tensão através do óxido (V_ox), Tensão de limiar (V_t) & Tensão entre Gate e Fonte (V_gs) podemos encontrar Parâmetro de transcondutância do transistor MOS usando a fórmula - Transconductance Parameter = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte).

O Parâmetro de transcondutância do transistor MOS pode ser negativo?

Não, o Parâmetro de transcondutância do transistor MOS, medido em Parâmetro de Transcondutância não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Parâmetro de transcondutância do transistor MOS?

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS geralmente é medido usando Miliamperes por Volt quadrado[mA/V²] para Parâmetro de Transcondutância. Ampère por Volt Quadrado[mA/V²], Microamperes por Volt Quadrado[mA/V²] são as poucas outras unidades nas quais Parâmetro de transcondutância do transistor MOS pode ser medido.

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Exemplo de Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

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