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Fórmula Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

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O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor. Verifique FAQs

k' p = μ p \cdot C ox

k'_p - Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS?μ_p - Mobilidade de Furos no Canal?C_ox - Capacitância de Óxido?

Exemplo de Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS.

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

2.128mS = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

2.128 = 2.66 \cdot 0.0008

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

k' p = μ p \cdot C ox

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

k' p = 2.66m²/V*s \cdot 0.0008F

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

k' p = 2.66 \cdot 0.0008

Próxima Etapa Avalie

∴

k' p = 0.002128S

Último passo Converter para unidade de saída

∴

k' p = 2.128mS

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_p

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

Mobilidade de Furos no Canal

A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,

Símbolo: μ_p

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de Furos no Canal

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS?

O avaliador Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS usa Process Transconductance Parameter in PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido para avaliar Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS, O parâmetro de transcondutância do processo do PMOS é o produto da mobilidade dos orifícios no canal e da capacitância do óxido. Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS é denotado pelo símbolo k'_p.

Como avaliar Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS, insira Mobilidade de Furos no Canal (μ_p) & Capacitância de Óxido (C_ox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS?

A fórmula de Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS é expressa como Process Transconductance Parameter in PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido. Aqui está um exemplo: 2128 = 2.66*0.0008.

Como calcular Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS?

Com Mobilidade de Furos no Canal (μ_p) & Capacitância de Óxido (C_ox) podemos encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS usando a fórmula - Process Transconductance Parameter in PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido.

O Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS pode ser negativo?

Sim, o Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS?

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS pode ser medido.

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