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Fórmula Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

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O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins. Verifique FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Parâmetro do Efeito Backgate?N_d - Concentração de Doadores?C_ox - Capacitância de Óxido?[Permitivity-vacuum] - Permissividade do vácuo?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Parâmetro de efeito Backgate em PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de efeito Backgate em PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Parâmetro de efeito Backgate em PMOS.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Parâmetro de efeito Backgate em PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Próxima Etapa Avalie

∴

γ p = 0.0290154053183929

Último passo Resposta de arredondamento

∴

γ p = 0.029

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Parâmetro do Efeito Backgate

O parâmetro de efeito backgate refere-se a um fenômeno que ocorre em transistores de efeito de campo, que são dispositivos eletrônicos usados para amplificação, comutação e outros fins.

Símbolo: γ_p

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro do Efeito Backgate

Concentração de Doadores

A concentração de doadores é a física dos semicondutores e refere-se ao número de átomos de impurezas doadoras por unidade de volume de um material semicondutor.

Símbolo: N_d

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Concentração de Doadores

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Permissividade do vácuo

A permissividade do vácuo é uma constante física fundamental que descreve a capacidade do vácuo de permitir a transmissão de linhas de campo elétrico.

Símbolo: [Permitivity-vacuum]

Valor: 8.85E-12 F/m

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

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Como avaliar Parâmetro de efeito Backgate em PMOS?

O avaliador Parâmetro de efeito Backgate em PMOS usa Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido para avaliar Parâmetro do Efeito Backgate, O Parâmetro de Efeito Backgate na fórmula PMOS representa a alteração na tensão limite para uma determinada alteração na tensão back-gate. Parâmetro do Efeito Backgate é denotado pelo símbolo γ_p.

Como avaliar Parâmetro de efeito Backgate em PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Parâmetro de efeito Backgate em PMOS, insira Concentração de Doadores (N_d) & Capacitância de Óxido (C_ox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Parâmetro de efeito Backgate em PMOS?

A fórmula de Parâmetro de efeito Backgate em PMOS é expressa como Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido. Aqui está um exemplo: 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

Como calcular Parâmetro de efeito Backgate em PMOS?

Com Concentração de Doadores (N_d) & Capacitância de Óxido (C_ox) podemos encontrar Parâmetro de efeito Backgate em PMOS usando a fórmula - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido. Esta fórmula também usa funções Permissividade do vácuo, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

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