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Fórmula NMOS como resistência linear

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A resistência linear atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação. Verifique FAQs

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

r_DS - Resistência Linear?L - Comprimento do Canal?μ_n - Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal?C_ox - Capacitância de Óxido?W_c - Largura do Canal?V_gs - Tensão da fonte do portão?V_T - Tensão de limiar?

Exemplo de NMOS como resistência linear

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação NMOS como resistência linear com valores.

Esta é a aparência da equação NMOS como resistência linear com unidades.

Esta é a aparência da equação NMOS como resistência linear.

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

7.9607kΩ = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

Dica: Use o ícone de lápis () acima para editar valores de entrada e unidades.

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NMOS como resistência linear Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular NMOS como resistência linear?

Primeiro passo Considere a fórmula

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

r DS = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

r DS = \frac{3E-6m}{2.2m²/V*s \cdot 2E-6F \cdot 1E-5m \cdot (10.3V - 1.82V)}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

r DS = \frac{3E-6}{2.2 \cdot 2E-6 \cdot 1E-5 \cdot (10.3 - 1.82)}

Próxima Etapa Avalie

∴

r DS = 7960.70173055041Ω

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

r DS = 7.96070173055041kΩ

Último passo Resposta de arredondamento

∴

r DS = 7.9607kΩ

NMOS como resistência linear Fórmula Elementos

Variáveis

Resistência Linear

A resistência linear atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação.

Símbolo: r_DS

Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Comprimento do Canal

O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal

A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou conduzirem dentro da camada superficial de um material quando submetidos a um campo elétrico.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Largura do Canal

A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Tensão da fonte do portão

A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Créditos

Creator Image

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta fórmula e mais 600+ fórmulas!

Verifier Image

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta fórmula e mais 1900+ fórmulas!

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Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

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Como avaliar NMOS como resistência linear?

O avaliador NMOS como resistência linear usa Linear Resistance = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)) para avaliar Resistência Linear, O NMOS como resistência linear atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação. Ao contrário de um BJT, para usar um MOSFET como switch, você precisa operar dentro da região linear. Resistência Linear é denotado pelo símbolo r_DS.

Como avaliar NMOS como resistência linear usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para NMOS como resistência linear, insira Comprimento do Canal (L), Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura do Canal (W_c), Tensão da fonte do portão (V_gs) & Tensão de limiar (V_T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre NMOS como resistência linear

Qual é a fórmula para encontrar NMOS como resistência linear?

A fórmula de NMOS como resistência linear é expressa como Linear Resistance = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)). Aqui está um exemplo: 0.007961 = 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82)).

Como calcular NMOS como resistência linear?

Com Comprimento do Canal (L), Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal (μ_n), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura do Canal (W_c), Tensão da fonte do portão (V_gs) & Tensão de limiar (V_T) podemos encontrar NMOS como resistência linear usando a fórmula - Linear Resistance = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)).

O NMOS como resistência linear pode ser negativo?

Sim, o NMOS como resistência linear, medido em Resistência Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir NMOS como resistência linear?

NMOS como resistência linear geralmente é medido usando Quilohm[kΩ] para Resistência Elétrica. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] são as poucas outras unidades nas quais NMOS como resistência linear pode ser medido.

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