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Fórmula MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto

IrMOSFET como resistência linear Fórmula

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Resistência linear, a quantidade de oposição ou resistência é diretamente proporcional à quantidade de corrente que flui através dela, conforme descrito pela Lei de Ohm. Verifique FAQs

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

R_ds - Resistência Linear?L - Comprimento do canal?μ_s - Mobilidade de elétrons na superfície do canal?C_ox - Capacitância de Óxido?W_c - Largura de banda?V_eff - Tensão Efetiva?

Exemplo de MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto com valores.

Esta é a aparência da equação MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto com unidades.

Esta é a aparência da equação MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto.

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

0.1647kΩ = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto?

Primeiro passo Considere a fórmula

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

R ds = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

R ds = \frac{0.0001m}{38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot 1E-5m \cdot 1.7V}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

R ds = \frac{0.0001}{38 \cdot 0.0009 \cdot 1E-5 \cdot 1.7}

Próxima Etapa Avalie

∴

R ds = 164.679533627561Ω

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

R ds = 0.164679533627561kΩ

Último passo Resposta de arredondamento

∴

R ds = 0.1647kΩ

MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto Fórmula Elementos

Variáveis

Resistência Linear

Resistência linear, a quantidade de oposição ou resistência é diretamente proporcional à quantidade de corrente que flui através dela, conforme descrito pela Lei de Ohm.

Símbolo: R_ds

Medição: Resistência ElétricaUnidade: kΩ

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Resistência Linear

Comprimento do canal

O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

Mobilidade de elétrons na superfície do canal

A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou viajarem através da superfície de um material semicondutor, como um canal de silício em um transistor.

Símbolo: μ_s

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de elétrons na superfície do canal

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Largura de banda

A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Tensão Efetiva

A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

Símbolo: V_eff

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Efetiva

Outras fórmulas para encontrar Resistência Linear

Ir MOSFET como resistência linear

R ds = \frac{1}{G}

Outras fórmulas na categoria Resistência

Ir Caminho livre médio do elétron

λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

Ir Resistência de Saída de Dreno

R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

Ir Resistência finita entre dreno e fonte

R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

Ir Condutância na Resistência Linear do MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

Ver mais

Como avaliar MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto?

O avaliador MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto usa Linear Resistance = Comprimento do canal/(Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda*Tensão Efetiva) para avaliar Resistência Linear, O MOSFET como resistência linear dada a relação de aspecto atua como um resistor variável na região linear e como uma fonte de corrente na região de saturação. Ao contrário de um BJT, para usar um MOSFET como switch, você precisa operar dentro da região linear. Resistência Linear é denotado pelo símbolo R_ds.

Como avaliar MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto, insira Comprimento do canal (L), Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c) & Tensão Efetiva (V_eff) e clique no botão calcular.

FAQs sobre MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto

Qual é a fórmula para encontrar MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto?

A fórmula de MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto é expressa como Linear Resistance = Comprimento do canal/(Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda*Tensão Efetiva). Aqui está um exemplo: 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7).

Como calcular MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto?

Com Comprimento do canal (L), Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c) & Tensão Efetiva (V_eff) podemos encontrar MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto usando a fórmula - Linear Resistance = Comprimento do canal/(Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda*Tensão Efetiva).

Quais são as outras maneiras de calcular Resistência Linear?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Resistência Linear-

Linear Resistance=1/Conductance of Channel

O MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto pode ser negativo?

Não, o MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto, medido em Resistência Elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto?

MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto geralmente é medido usando Quilohm[kΩ] para Resistência Elétrica. Ohm[kΩ], Megohm[kΩ], Microhm[kΩ] são as poucas outras unidades nas quais MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto pode ser medido.

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Exemplo de MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto

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