Fórmula Mobilidade em Mosfet

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A mobilidade no MOSFET é definida com base na capacidade de um elétron se mover rapidamente através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico. Verifique FAQs
μeff=KpCox
μeff - Mobilidade em MOSFET?Kp - K Prime?Cox - Capacitância da camada de óxido de porta?

Exemplo de Mobilidade em Mosfet

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Mobilidade em Mosfet com valores.

Esta é a aparência da equação Mobilidade em Mosfet com unidades.

Esta é a aparência da equação Mobilidade em Mosfet.

0.1509Edit=4.502Edit29.83Edit
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Mobilidade em Mosfet Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Mobilidade em Mosfet?

Primeiro passo Considere a fórmula
μeff=KpCox
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
μeff=4.502cm²/V*s29.83μF/mm²
Próxima Etapa Converter unidades
μeff=0.0005m²/V*s29.83F/m²
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
μeff=0.000529.83
Próxima Etapa Avalie
μeff=1.50921890714046E-05m²/V*s
Próxima Etapa Converter para unidade de saída
μeff=0.150921890714046cm²/V*s
Último passo Resposta de arredondamento
μeff=0.1509cm²/V*s

Mobilidade em Mosfet Fórmula Elementos

Variáveis
Mobilidade em MOSFET
A mobilidade no MOSFET é definida com base na capacidade de um elétron se mover rapidamente através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico.
Símbolo: μeff
Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s
Observação: O valor deve ser maior que 0.
K Prime
K Prime é a constante de taxa reversa da reação.
Símbolo: Kp
Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância da camada de óxido de porta
A capacitância da camada de óxido de porta é definida como a capacitância do terminal de porta de um transistor de efeito de campo.
Símbolo: Cox
Medição: Capacitância de óxido por unidade de áreaUnidade: μF/mm²
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Otimização de materiais VLSI

​Ir Coeficiente de Efeito Corporal
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​Ir Carga do canal
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​Ir Tensão Crítica
Vx=ExEch
​Ir Coeficiente DIBL
η=Vt0-VtVds

Como avaliar Mobilidade em Mosfet?

O avaliador Mobilidade em Mosfet usa Mobility in MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta para avaliar Mobilidade em MOSFET, A fórmula Mobility in Mosfet é definida como a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando puxado por um campo elétrico. Mobilidade em MOSFET é denotado pelo símbolo μeff.

Como avaliar Mobilidade em Mosfet usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Mobilidade em Mosfet, insira K Prime (Kp) & Capacitância da camada de óxido de porta (Cox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Mobilidade em Mosfet

Qual é a fórmula para encontrar Mobilidade em Mosfet?
A fórmula de Mobilidade em Mosfet é expressa como Mobility in MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta. Aqui está um exemplo: 1500.167 = 0.0004502/29.83.
Como calcular Mobilidade em Mosfet?
Com K Prime (Kp) & Capacitância da camada de óxido de porta (Cox) podemos encontrar Mobilidade em Mosfet usando a fórmula - Mobility in MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta.
O Mobilidade em Mosfet pode ser negativo?
Não, o Mobilidade em Mosfet, medido em Mobilidade não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Mobilidade em Mosfet?
Mobilidade em Mosfet geralmente é medido usando Centímetro Quadrado por Volt Segundo[cm²/V*s] para Mobilidade. Metro quadrado por volt por segundo[cm²/V*s] são as poucas outras unidades nas quais Mobilidade em Mosfet pode ser medido.
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