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Fórmula Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

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Carga de elétron no canal refere-se à quantidade de carga transportada por um elétron na banda de condução do material semicondutor usado no dispositivo. Verifique FAQs
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Qe - Carga do Elétron no Canal?Cox - Capacitância de Óxido?Wc - Largura de banda?L - Comprimento do canal?Veff - Tensão Efetiva?

Exemplo de Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET.

1.598Edit=940Edit⋅10Edit⋅100Edit⋅1.7Edit
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Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
∴ Qe=940μF⋅10μm⋅100μm⋅1.7V
Próxima Etapa Converter unidades
∴ Qe=0.0009F⋅1E-5m⋅0.0001m⋅1.7V
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
∴ Qe=0.0009⋅1E-5⋅0.0001⋅1.7
Próxima Etapa Avalie
∴Qe=1.598E-12C
Último passo Converter para unidade de saída
∴Qe=1.598pC

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis
Carga do Elétron no Canal
Carga de elétron no canal refere-se à quantidade de carga transportada por um elétron na banda de condução do material semicondutor usado no dispositivo.
Símbolo: Qe
Medição: Carga elétricaUnidade: pC
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Fórmulas para encontrar Carga do Elétron no CanalOpen Variable
Capacitância de Óxido
A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Símbolo: Cox
Medição: CapacitânciaUnidade: μF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitância de ÓxidoOpen Variable
Largura de banda
A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Símbolo: Wc
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fórmulas para encontrar Largura de bandaOpen Variable
Comprimento do canal
O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
Símbolo: L
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fórmulas para encontrar Comprimento do canalOpen Variable
Tensão Efetiva
A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.
Símbolo: Veff
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fórmulas para encontrar Tensão EfetivaOpen Variable

Outras fórmulas na categoria Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência

​Ir Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​Ir Capacitância de sobreposição do MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​Ir Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​Ir Frequência de Transição do MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

Como avaliar Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET?

O avaliador Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET usa Electron Charge in Channel = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva para avaliar Carga do Elétron no Canal, A magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET é dada por |Q| = Cox (WL)Vov onde Cox, chamada de capacitância de óxido, é a capacitância do capacitor de placas paralelas por unidade de área da porta (em unidades de F/m. Carga do Elétron no Canal é denotado pelo símbolo Qe.

Como avaliar Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET, insira Capacitância de Óxido (Cox), Largura de banda (Wc), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (Veff) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET?
A fórmula de Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET é expressa como Electron Charge in Channel = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva. Aqui está um exemplo: 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
Como calcular Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET?
Com Capacitância de Óxido (Cox), Largura de banda (Wc), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (Veff) podemos encontrar Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET usando a fórmula - Electron Charge in Channel = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva.
O Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET pode ser negativo?
Sim, o Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET, medido em Carga elétrica pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET?
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET geralmente é medido usando Picocoulomb[pC] para Carga elétrica. Coulomb[pC], Quilocoulomb[pC], Milicoulomb[pC] são as poucas outras unidades nas quais Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET pode ser medido.
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