Fórmula Ganho máximo de potência do transistor de microondas

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O ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal. Verifique FAQs
Gmax=(fTCf)2ZoutZin
Gmax - Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas?fTC - Frequência de corte do tempo de trânsito?f - Frequência de ganho de potência?Zout - Impedância de saída?Zin - Impedância de entrada?

Exemplo de Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Ganho máximo de potência do transistor de microondas com valores.

Esta é a aparência da equação Ganho máximo de potência do transistor de microondas com unidades.

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Ganho máximo de potência do transistor de microondas Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Ganho máximo de potência do transistor de microondas?

Primeiro passo Considere a fórmula
Gmax=(fTCf)2ZoutZin
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Gmax=(2.08Hz80Hz)20.27Ω5.4Ω
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Gmax=(2.0880)20.275.4
Próxima Etapa Avalie
Gmax=3.38E-05
Último passo Resposta de arredondamento
Gmax=3.4E-5

Ganho máximo de potência do transistor de microondas Fórmula Elementos

Variáveis
Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas
O ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal.
Símbolo: Gmax
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Frequência de corte do tempo de trânsito
A frequência de corte do tempo de trânsito está relacionada ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para transitar pelo dispositivo.
Símbolo: fTC
Medição: FrequênciaUnidade: Hz
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Frequência de ganho de potência
Frequência de ganho de potência refere-se à frequência na qual o ganho de potência do dispositivo começa a diminuir.
Símbolo: f
Medição: FrequênciaUnidade: Hz
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Impedância de saída
Impedância de Saída refere-se à impedância, ou resistência, que um dispositivo ou circuito apresenta à carga externa conectada à sua saída.
Símbolo: Zout
Medição: Resistência ElétricaUnidade: Ω
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Impedância de entrada
Impedância de entrada é a impedância ou resistência equivalente que um dispositivo ou circuito apresenta em seus terminais de entrada quando um sinal é aplicado.
Símbolo: Zin
Medição: Resistência ElétricaUnidade: Ω
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Amplificadores transistorizados

​Ir Frequência de corte MESFET
fco=Gm2πCgs
​Ir Frequência máxima de operação
fmax=fco2RdRs+Ri+Rg
​Ir Transcondutância na região de saturação no MESFET
Gm=g0(1-Vi-VGVp)
​Ir Frequência Máxima de Oscilação
fmax o=vs2πLc

Como avaliar Ganho máximo de potência do transistor de microondas?

O avaliador Ganho máximo de potência do transistor de microondas usa Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada para avaliar Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas, A fórmula do ganho máximo de potência do transistor de micro-ondas é definida como a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal. Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é denotado pelo símbolo Gmax.

Como avaliar Ganho máximo de potência do transistor de microondas usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Ganho máximo de potência do transistor de microondas, insira Frequência de corte do tempo de trânsito (fTC), Frequência de ganho de potência (f), Impedância de saída (Zout) & Impedância de entrada (Zin) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Qual é a fórmula para encontrar Ganho máximo de potência do transistor de microondas?
A fórmula de Ganho máximo de potência do transistor de microondas é expressa como Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada. Aqui está um exemplo: 3.4E-5 = (2.08/80)^2*0.27/5.4.
Como calcular Ganho máximo de potência do transistor de microondas?
Com Frequência de corte do tempo de trânsito (fTC), Frequência de ganho de potência (f), Impedância de saída (Zout) & Impedância de entrada (Zin) podemos encontrar Ganho máximo de potência do transistor de microondas usando a fórmula - Maximum Power Gain of a Microwave Transistor = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada.
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