Fórmula Efeito Corporal no MOSFET

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A Tensão Limiar com Substrato é um parâmetro crucial que define o ponto em que o transistor começa a conduzir corrente da fonte para o dreno. Verifique FAQs
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
Vt - Tensão Limite com Substrato?Vth - Tensão limite com polarização corporal zero?γ - Parâmetro de efeito corporal?Φf - Potencial de Fermi em massa?Vbs - Tensão aplicada ao corpo?

Exemplo de Efeito Corporal no MOSFET

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal no MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal no MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal no MOSFET.

3.9626Edit=3.4Edit+0.56Edit(20.25Edit+2.43Edit-20.25Edit)
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Efeito Corporal no MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Efeito Corporal no MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Vt=3.4V+0.56(20.25V+2.43V-20.25V)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Vt=3.4+0.56(20.25+2.43-20.25)
Próxima Etapa Avalie
Vt=3.96258579757846V
Último passo Resposta de arredondamento
Vt=3.9626V

Efeito Corporal no MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis
Funções
Tensão Limite com Substrato
A Tensão Limiar com Substrato é um parâmetro crucial que define o ponto em que o transistor começa a conduzir corrente da fonte para o dreno.
Símbolo: Vt
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão limite com polarização corporal zero
Tensão limite com polarização zero do corpo refere-se à tensão limite quando não há polarização externa aplicada ao substrato semicondutor (terminal do corpo).
Símbolo: Vth
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Parâmetro de efeito corporal
O parâmetro Body Effect é um parâmetro que caracteriza a sensibilidade da tensão limite do MOSFET.
Símbolo: γ
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Potencial de Fermi em massa
Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
Símbolo: Φf
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão aplicada ao corpo
Tensão aplicada ao corpo é a tensão aplicada ao terminal do corpo. Esta tensão pode ter um impacto significativo no comportamento e desempenho do MOSFET.
Símbolo: Vbs
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
sqrt
Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.
Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Fabricação de IC MOS

​Ir Frequência de ganho unitário MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​Ir Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​Ir Resistência do Canal
Rch=LtWt1μnQon
​Ir Tempo de propagação
Tp=0.7N(N+12)RmCl

Como avaliar Efeito Corporal no MOSFET?

O avaliador Efeito Corporal no MOSFET usa Threshold Voltage with Substrate = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa)) para avaliar Tensão Limite com Substrato, O Efeito Corpo no MOSFET é definido como o fenômeno que descreve como a tensão aplicada ao substrato semicondutor (corpo) afeta o comportamento do transistor. O efeito corpo ocorre devido à mudança na tensão limite do MOSFET quando a tensão entre a fonte e o substrato é variada. Tensão Limite com Substrato é denotado pelo símbolo Vt.

Como avaliar Efeito Corporal no MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Efeito Corporal no MOSFET, insira Tensão limite com polarização corporal zero (Vth), Parâmetro de efeito corporal (γ), Potencial de Fermi em massa f) & Tensão aplicada ao corpo (Vbs) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Efeito Corporal no MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Efeito Corporal no MOSFET?
A fórmula de Efeito Corporal no MOSFET é expressa como Threshold Voltage with Substrate = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa)). Aqui está um exemplo: 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).
Como calcular Efeito Corporal no MOSFET?
Com Tensão limite com polarização corporal zero (Vth), Parâmetro de efeito corporal (γ), Potencial de Fermi em massa f) & Tensão aplicada ao corpo (Vbs) podemos encontrar Efeito Corporal no MOSFET usando a fórmula - Threshold Voltage with Substrate = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa)). Esta fórmula também usa funções Função Raiz Quadrada.
O Efeito Corporal no MOSFET pode ser negativo?
Não, o Efeito Corporal no MOSFET, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Efeito Corporal no MOSFET?
Efeito Corporal no MOSFET geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Efeito Corporal no MOSFET pode ser medido.
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