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Fórmula Efeito corporal em PMOS

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A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento. Verifique FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Mudança na Tensão Limiar?V_T - Tensão de limiar?γ - Parâmetro do Processo de Fabricação?φ_f - Parâmetro físico?V_SB - Tensão entre Corpo e Fonte?

Exemplo de Efeito corporal em PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Efeito corporal em PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Efeito corporal em PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Efeito corporal em PMOS.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Efeito corporal em PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Efeito corporal em PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Próxima Etapa Avalie

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

ΔV t = 1.6005V

Efeito corporal em PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Mudança na Tensão Limiar

A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.

Símbolo: ΔV_t

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mudança na Tensão Limiar

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Parâmetro do Processo de Fabricação

O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.

Símbolo: γ

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro do Processo de Fabricação

Parâmetro físico

Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.

Símbolo: φ_f

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro físico

Tensão entre Corpo e Fonte

A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.

Símbolo: V_SB

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Corpo e Fonte

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

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Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Efeito corporal em PMOS?

O avaliador Efeito corporal em PMOS usa Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)) para avaliar Mudança na Tensão Limiar, O efeito do corpo no PMOS refere-se à mudança na tensão limite do transistor (V. Mudança na Tensão Limiar é denotado pelo símbolo ΔV_t.

Como avaliar Efeito corporal em PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Efeito corporal em PMOS, insira Tensão de limiar (V_T), Parâmetro do Processo de Fabricação (γ), Parâmetro físico (φ_f) & Tensão entre Corpo e Fonte (V_SB) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Efeito corporal em PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Efeito corporal em PMOS?

A fórmula de Efeito corporal em PMOS é expressa como Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)). Aqui está um exemplo: 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

Como calcular Efeito corporal em PMOS?

Com Tensão de limiar (V_T), Parâmetro do Processo de Fabricação (γ), Parâmetro físico (φ_f) & Tensão entre Corpo e Fonte (V_SB) podemos encontrar Efeito corporal em PMOS usando a fórmula - Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)). Esta fórmula também usa funções Raiz quadrada (sqrt).

O Efeito corporal em PMOS pode ser negativo?

Não, o Efeito corporal em PMOS, medido em Potencial elétrico não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Efeito corporal em PMOS?

Efeito corporal em PMOS geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Efeito corporal em PMOS pode ser medido.

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