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Fórmula Efeito Corporal em NMOS

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A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento. Verifique FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Mudança na Tensão Limiar?V_T - Tensão de limiar?γ - Parâmetro do Processo de Fabricação?φ_f - Parâmetro físico?V_SB - Tensão entre Corpo e Fonte?

Exemplo de Efeito Corporal em NMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal em NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal em NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Efeito Corporal em NMOS.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Efeito Corporal em NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Efeito Corporal em NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Próxima Etapa Avalie

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Último passo Resposta de arredondamento

∴

ΔV th = 37.2244V

Efeito Corporal em NMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Mudança na Tensão Limiar

A alteração na tensão limite pode ser causada por vários fatores, incluindo alterações na temperatura, exposição à radiação e envelhecimento.

Símbolo: ΔV_th

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Mudança na Tensão Limiar

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Parâmetro do Processo de Fabricação

O parâmetro do processo de fabricação é o processo que se inicia com a oxidação do substrato de silício no qual uma camada de óxido relativamente espessa é depositada na superfície.

Símbolo: γ

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro do Processo de Fabricação

Parâmetro físico

Parâmetros físicos podem ser usados para descrever o estado ou condição de um sistema físico, ou para caracterizar a maneira como o sistema responde a vários estímulos ou entradas.

Símbolo: φ_f

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro físico

Tensão entre Corpo e Fonte

A tensão entre o corpo e a fonte é importante porque pode afetar a operação segura de dispositivos eletrônicos.

Símbolo: V_SB

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Corpo e Fonte

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal N

Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistência linear

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

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I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ver mais

Como avaliar Efeito Corporal em NMOS?

O avaliador Efeito Corporal em NMOS usa Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)) para avaliar Mudança na Tensão Limiar, O efeito do corpo em NMOS refere-se à mudança na tensão de limiar do transistor resultante de uma diferença de tensão entre a fonte do transistor e o corpo. Mudança na Tensão Limiar é denotado pelo símbolo ΔV_th.

Como avaliar Efeito Corporal em NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Efeito Corporal em NMOS, insira Tensão de limiar (V_T), Parâmetro do Processo de Fabricação (γ), Parâmetro físico (φ_f) & Tensão entre Corpo e Fonte (V_SB) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Efeito Corporal em NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Efeito Corporal em NMOS?

A fórmula de Efeito Corporal em NMOS é expressa como Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)). Aqui está um exemplo: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Como calcular Efeito Corporal em NMOS?

Com Tensão de limiar (V_T), Parâmetro do Processo de Fabricação (γ), Parâmetro físico (φ_f) & Tensão entre Corpo e Fonte (V_SB) podemos encontrar Efeito Corporal em NMOS usando a fórmula - Change in Threshold Voltage = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico)). Esta fórmula também usa funções Função Raiz Quadrada.

O Efeito Corporal em NMOS pode ser negativo?

Sim, o Efeito Corporal em NMOS, medido em Potencial elétrico pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Efeito Corporal em NMOS?

Efeito Corporal em NMOS geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Efeito Corporal em NMOS pode ser medido.

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Fórmula Efeito Corporal em NMOS

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