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Fórmula Drenar corrente de saturação do MOSFET

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A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projeto Verifique FAQs

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

I_d(sat) - Corrente de drenagem de saturação?k'_p - Processo de Transcondutância em PMOS?W_c - Largura de banda?L - Comprimento do canal?V_eff - Tensão Efetiva?

Exemplo de Drenar corrente de saturação do MOSFET

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Drenar corrente de saturação do MOSFET com valores.

Esta é a aparência da equação Drenar corrente de saturação do MOSFET com unidades.

Esta é a aparência da equação Drenar corrente de saturação do MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot \frac{10}{100} \cdot {(1.7)}^{2}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Drenar corrente de saturação do MOSFET Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Drenar corrente de saturação do MOSFET?

Primeiro passo Considere a fórmula

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V eff)}^{2}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot {(1.7V)}^{2}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot {(1.7V)}^{2}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I d(sat) = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot {(1.7)}^{2}

Próxima Etapa Avalie

∴

I d(sat) = 8.381E-05A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I d(sat) = 0.08381mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I d(sat) = 0.0838mA

Drenar corrente de saturação do MOSFET Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de drenagem de saturação

A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projeto

Símbolo: I_d(sat)

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem de saturação

Processo de Transcondutância em PMOS

A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.

Símbolo: k'_p

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Processo de Transcondutância em PMOS

Largura de banda

A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Comprimento do canal

O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

Tensão Efetiva

A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

Símbolo: V_eff

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Efetiva

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I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

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i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Ir Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande dada a tensão de overdrive

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Como avaliar Drenar corrente de saturação do MOSFET?

O avaliador Drenar corrente de saturação do MOSFET usa Saturation Drain Current = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2 para avaliar Corrente de drenagem de saturação, A corrente de saturação de drenagem do MOSFET aqui "saturação" nos MOSFETs significa que a mudança em V. Corrente de drenagem de saturação é denotado pelo símbolo I_d(sat).

Como avaliar Drenar corrente de saturação do MOSFET usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Drenar corrente de saturação do MOSFET, insira Processo de Transcondutância em PMOS (k'_p), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (V_eff) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Drenar corrente de saturação do MOSFET

Qual é a fórmula para encontrar Drenar corrente de saturação do MOSFET?

A fórmula de Drenar corrente de saturação do MOSFET é expressa como Saturation Drain Current = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2. Aqui está um exemplo: 83.81 = 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2.

Como calcular Drenar corrente de saturação do MOSFET?

Com Processo de Transcondutância em PMOS (k'_p), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L) & Tensão Efetiva (V_eff) podemos encontrar Drenar corrente de saturação do MOSFET usando a fórmula - Saturation Drain Current = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2.

O Drenar corrente de saturação do MOSFET pode ser negativo?

Não, o Drenar corrente de saturação do MOSFET, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Drenar corrente de saturação do MOSFET?

Drenar corrente de saturação do MOSFET geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Drenar corrente de saturação do MOSFET pode ser medido.

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