Fórmula Diferença potencial de contato

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A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa. Verifique FAQs
V0=[BoltZ]T[Charge-e]ln(NAND(n1i)2)
V0 - Tensão na junção PN?T - Temperatura absoluta?NA - Concentração do aceitante?ND - Concentração de Doadores?n1i - Concentração Intrínseca de Portadores?[BoltZ] - Constante de Boltzmann?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Diferença potencial de contato

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Diferença potencial de contato com valores.

Esta é a aparência da equação Diferença potencial de contato com unidades.

Esta é a aparência da equação Diferença potencial de contato.

0.6238Edit=1.4E-23393Edit1.6E-19ln(1E+22Edit1E+24Edit(1E+19Edit)2)
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Diferença potencial de contato Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Diferença potencial de contato?

Primeiro passo Considere a fórmula
V0=[BoltZ]T[Charge-e]ln(NAND(n1i)2)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
V0=[BoltZ]393K[Charge-e]ln(1E+221/m³1E+241/m³(1E+191/m³)2)
Próxima Etapa Valores substitutos de constantes
V0=1.4E-23J/K393K1.6E-19Cln(1E+221/m³1E+241/m³(1E+191/m³)2)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
V0=1.4E-233931.6E-19ln(1E+221E+24(1E+19)2)
Próxima Etapa Avalie
V0=0.623836767969216V
Último passo Resposta de arredondamento
V0=0.6238V

Diferença potencial de contato Fórmula Elementos

Variáveis
Constantes
Funções
Tensão na junção PN
A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.
Símbolo: V0
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve estar entre 0.3 e 0.8.
Temperatura absoluta
A temperatura absoluta representa a temperatura do sistema.
Símbolo: T
Medição: TemperaturaUnidade: K
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Concentração do aceitante
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Símbolo: NA
Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Concentração de Doadores
Concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Símbolo: ND
Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Concentração Intrínseca de Portadores
Concentração de Portadora Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga, tanto majoritários quanto minoritários, de um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.
Símbolo: n1i
Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Constante de Boltzmann
A constante de Boltzmann relaciona a energia cinética média das partículas em um gás com a temperatura do gás e é uma constante fundamental na mecânica estatística e na termodinâmica.
Símbolo: [BoltZ]
Valor: 1.38064852E-23 J/K
Carga do elétron
A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
ln
O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural.
Sintaxe: ln(Number)

Outras fórmulas na categoria Dispositivos fotônicos

​Ir Potência óptica irradiada
Popt=εopto[Stefan-BoltZ]AsTo4
​Ir Mudança de fase líquida
ΔΦ=πλo(nri)3rVcc
​Ir Comprimento da Cavidade
Lc=λm2
​Ir Número do modo
m=2Lcnriλ

Como avaliar Diferença potencial de contato?

O avaliador Diferença potencial de contato usa Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Portadores)^2) para avaliar Tensão na junção PN, A fórmula da diferença de potencial de contato é definida como a tensão que existe em uma junção pn imparcial. O potencial de contato é estabelecido através da região de carga espacial, também conhecida como região de transição ou depleção. Também é chamado de potencial de difusão ou potencial de junção embutido. Tensão na junção PN é denotado pelo símbolo V0.

Como avaliar Diferença potencial de contato usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Diferença potencial de contato, insira Temperatura absoluta (T), Concentração do aceitante (NA), Concentração de Doadores (ND) & Concentração Intrínseca de Portadores (n1i) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Diferença potencial de contato

Qual é a fórmula para encontrar Diferença potencial de contato?
A fórmula de Diferença potencial de contato é expressa como Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Portadores)^2). Aqui está um exemplo: 0.623837 = ([BoltZ]*393)/[Charge-e]*ln((1E+22*1E+24)/(1E+19)^2).
Como calcular Diferença potencial de contato?
Com Temperatura absoluta (T), Concentração do aceitante (NA), Concentração de Doadores (ND) & Concentração Intrínseca de Portadores (n1i) podemos encontrar Diferença potencial de contato usando a fórmula - Voltage Across PN Junction = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração Intrínseca de Portadores)^2). Esta fórmula também usa funções Constante de Boltzmann, Carga do elétron constante(s) e Logaritmo Natural (ln).
O Diferença potencial de contato pode ser negativo?
Sim, o Diferença potencial de contato, medido em Potencial elétrico pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Diferença potencial de contato?
Diferença potencial de contato geralmente é medido usando Volt[V] para Potencial elétrico. Milivolt[V], Microvolt[V], Nanovalt[V] são as poucas outras unidades nas quais Diferença potencial de contato pode ser medido.
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