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Fórmula Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

IrTerminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Fórmula

IrCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

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A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

I_d - Drenar corrente em NMOS?k'_n - Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?W_c - Largura do Canal?L - Comprimento do Canal?V_gs - Tensão da fonte do portão?V_T - Tensão de limiar?

Exemplo de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS.

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(10.3 - 1.82)}^{2}

239.7013mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(10.3V - 1.82V)}^{2}

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(10.3 - 1.82)}^{2}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(10.3V - 1.82V)}^{2}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(10.3V - 1.82V)}^{2}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(10.3 - 1.82)}^{2}

Próxima Etapa Avalie

∴

I d = 0.239701333333333A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I d = 239.701333333333mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I d = 239.7013mA

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Drenar corrente em NMOS

Símbolo: I_d

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

Largura do Canal

A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Largura do Canal

Comprimento do Canal

O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Comprimento do Canal

Tensão da fonte do portão

A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.

Símbolo: V_gs

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão da fonte do portão

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Outras fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Ir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ir Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ds)}^{2}

Ir Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

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Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistência linear

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

V = V A \cdot L

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Como avaliar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

O avaliador Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS usa Drain Current in NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2 para avaliar Drenar corrente em NMOS, A corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS, a corrente de dreno primeiro aumenta linearmente com a tensão dreno para fonte aplicada, mas depois atinge um valor máximo. Uma camada de depleção localizada na extremidade do dreno da porta acomoda a tensão dreno para a fonte adicional. Este comportamento é conhecido como saturação de corrente de dreno. Drenar corrente em NMOS é denotado pelo símbolo I_d.

Como avaliar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS, insira Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (V_gs) & Tensão de limiar (V_T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

A fórmula de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS é expressa como Drain Current in NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2. Aqui está um exemplo: 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2.

Como calcular Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

Com Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (V_gs) & Tensão de limiar (V_T) podemos encontrar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS usando a fórmula - Drain Current in NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2.

Quais são as outras maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)
Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

O Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS pode ser negativo?

Não, o Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS pode ser medido.

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Fórmula Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

​IrTerminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Fórmula

​IrCorrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula

Exemplo de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Solução

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS Fórmula Elementos

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Como avaliar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS?

FAQs sobre Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Variable Name

IrTerminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta Fórmula

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