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Fórmula Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

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A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte. Verifique FAQs

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

I_ds - Corrente de drenagem de saturação?k'_n - Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?W_c - Largura do Canal?L - Comprimento do Canal?V_ov - Tensão Overdrive em NMOS?

Exemplo de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva.

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

239.7013mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Eletrônica Analógica » fx Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva?

Primeiro passo Considere a fórmula

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.48V)}^{2}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.48)}^{2}

Próxima Etapa Avalie

∴

I ds = 0.239701333333333A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I ds = 239.701333333333mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I ds = 239.7013mA

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de drenagem de saturação

A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.

Símbolo: I_ds

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem de saturação

Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_n

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS

Largura do Canal

A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Largura do Canal

Comprimento do Canal

O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Comprimento do Canal

Tensão Overdrive em NMOS

A tensão de overdrive no NMOS geralmente se refere à tensão aplicada a um dispositivo ou componente que excede sua tensão operacional normal.

Símbolo: V_ov

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão Overdrive em NMOS

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Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

Ir NMOS como resistência linear

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Ir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Ver mais

Como avaliar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva?

O avaliador Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva usa Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2 para avaliar Corrente de drenagem de saturação, A corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS, dada a corrente de dreno de tensão efetiva, primeiro aumenta linearmente com a tensão de dreno para a fonte aplicada, mas depois atinge o valor máximo. Uma camada de depleção localizada na extremidade do dreno da porta acomoda tensão adicional do dreno para a fonte. Esse comportamento é conhecido como saturação da corrente de dreno. Corrente de drenagem de saturação é denotado pelo símbolo I_ds.

Como avaliar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva, insira Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L) & Tensão Overdrive em NMOS (V_ov) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Qual é a fórmula para encontrar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva?

A fórmula de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva é expressa como Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2. Aqui está um exemplo: 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2.

Como calcular Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva?

Com Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'_n), Largura do Canal (W_c), Comprimento do Canal (L) & Tensão Overdrive em NMOS (V_ov) podemos encontrar Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva usando a fórmula - Saturation Drain Current = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2.

O Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva pode ser negativo?

Não, o Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva?

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva pode ser medido.

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Fórmula Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Exemplo de Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

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