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Fórmula Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

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A velocidade de deriva da camada de inversão em um MOSFET é a velocidade média dos elétrons que compõem a camada de inversão à medida que se movem através do material sob a influência de um campo elétrico. Verifique FAQs

V y = μ p \cdot E y

V_y - Velocidade de deriva da inversão?μ_p - Mobilidade de Furos no Canal?E_y - Componente horizontal do campo elétrico no canal?

Exemplo de Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade.

1463 = 2.66 \cdot 5.5

1463cm/s = 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m

1463 = 2.66 \cdot 5.5

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade?

Primeiro passo Considere a fórmula

V y = μ p \cdot E y

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

V y = 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

V y = 2.66 \cdot 5.5

Próxima Etapa Avalie

∴

V y = 14.63m/s

Último passo Converter para unidade de saída

∴

V y = 1463cm/s

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade Fórmula Elementos

Variáveis

Velocidade de deriva da inversão

Símbolo: V_y

Medição: VelocidadeUnidade: cm/s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Velocidade de deriva da inversão

Mobilidade de Furos no Canal

A mobilidade dos buracos no canal depende de vários fatores, como a estrutura cristalina do material semicondutor, a presença de impurezas, a temperatura,

Símbolo: μ_p

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de Furos no Canal

Componente horizontal do campo elétrico no canal

A Componente Horizontal do Campo Elétrico no Canal é a intensidade do campo elétrico que existe no material sob a camada de óxido do portão, na região onde se forma a camada de inversão.

Símbolo: E_y

Medição: Força do Campo ElétricoUnidade: V/m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Componente horizontal do campo elétrico no canal

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade?

O avaliador Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade usa Drift Velocity of Inversion = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal para avaliar Velocidade de deriva da inversão, A corrente no canal de inversão do PMOS dada fórmula de mobilidade é definida como a corrente no canal de inversão de um transistor PMOS é determinada pela mobilidade dos portadores de carga no canal, bem como pela largura do canal, comprimento do canal e porta -tensão da fonte. Velocidade de deriva da inversão é denotado pelo símbolo V_y.

Como avaliar Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade, insira Mobilidade de Furos no Canal (μ_p) & Componente horizontal do campo elétrico no canal (E_y) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Qual é a fórmula para encontrar Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade?

A fórmula de Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade é expressa como Drift Velocity of Inversion = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal. Aqui está um exemplo: 146300 = 2.66*5.5.

Como calcular Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade?

Com Mobilidade de Furos no Canal (μ_p) & Componente horizontal do campo elétrico no canal (E_y) podemos encontrar Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade usando a fórmula - Drift Velocity of Inversion = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal.

O Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade pode ser negativo?

Sim, o Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade, medido em Velocidade pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade?

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade geralmente é medido usando Centímetro por Segundo[cm/s] para Velocidade. Metro por segundo[cm/s], Metro por minuto[cm/s], Metro por hora[cm/s] são as poucas outras unidades nas quais Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade pode ser medido.

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Fórmula Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

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