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A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12(Vds)2)
Id - Drenar corrente em NMOS?k'n - Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS?Wc - Largura do Canal?L - Comprimento do Canal?Vgs - Tensão da fonte do portão?VT - Tensão de limiar?Vds - Tensão da Fonte de Dreno?

Exemplo de Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS.

239.693Edit=2Edit10Edit3Edit((10.3Edit-1.82Edit)8.43Edit-12(8.43Edit)2)
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Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12(Vds)2)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Id=2mS10μm3μm((10.3V-1.82V)8.43V-12(8.43V)2)
Próxima Etapa Converter unidades
Id=0.002S1E-5m3E-6m((10.3V-1.82V)8.43V-12(8.43V)2)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Id=0.0021E-53E-6((10.3-1.82)8.43-12(8.43)2)
Próxima Etapa Avalie
Id=0.239693A
Último passo Converter para unidade de saída
Id=239.693mA

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS Fórmula Elementos

Variáveis
Drenar corrente em NMOS
A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Símbolo: Id
Medição: Corrente elétricaUnidade: mA
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS
O Parâmetro de Transcondutância do Processo em NMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Símbolo: k'n
Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Largura do Canal
A largura do canal refere-se à quantidade de largura de banda disponível para transmissão de dados dentro de um canal de comunicação.
Símbolo: Wc
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Comprimento do Canal
O comprimento do canal pode ser definido como a distância entre seus pontos inicial e final e pode variar muito dependendo de sua finalidade e localização.
Símbolo: L
Medição: ComprimentoUnidade: μm
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Tensão da fonte do portão
A tensão da fonte de porta é a tensão que cai no terminal de porta-fonte do transistor.
Símbolo: Vgs
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Tensão de limiar
A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.
Símbolo: VT
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão da Fonte de Dreno
Drain Source Voltage é um termo elétrico usado em eletrônica e especificamente em transistores de efeito de campo. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais Drain e Source do FET.
Símbolo: Vds
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Outras fórmulas para encontrar Drenar corrente em NMOS

​Ir Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12Vds2)
​Ir Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS
Id=12k'nWcL(Vgs-VT)2

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal N

​Ir Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS
vd=μnEL
​Ir NMOS como resistência linear
rDS=LμnCoxWc(Vgs-VT)

Como avaliar Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS?

O avaliador Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS usa Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2) para avaliar Drenar corrente em NMOS, A corrente que entra na fonte de drenagem na região triodo do NMOS quando Vgs é dado pode ser encontrada multiplicando a carga por unidade de comprimento de canal pela velocidade de deriva do elétron. Drenar corrente em NMOS é denotado pelo símbolo Id.

Como avaliar Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS, insira Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'n), Largura do Canal (Wc), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (Vgs), Tensão de limiar (VT) & Tensão da Fonte de Dreno (Vds) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS?
A fórmula de Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS é expressa como Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2). Aqui está um exemplo: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*(8.43)^2).
Como calcular Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS?
Com Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS (k'n), Largura do Canal (Wc), Comprimento do Canal (L), Tensão da fonte do portão (Vgs), Tensão de limiar (VT) & Tensão da Fonte de Dreno (Vds) podemos encontrar Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS usando a fórmula - Drain Current in NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2).
Quais são as outras maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS?
Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar corrente em NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2OpenImg
O Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS pode ser negativo?
Não, o Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS?
Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS pode ser medido.
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