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Fórmula Corrente de saturação no transistor

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Corrente de saturação refere-se à corrente máxima que pode fluir através do transistor quando ele está totalmente ligado. Verifique FAQs

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

I_sat - Corrente de saturação?q - Cobrar?A - Área de junção da base do emissor?D_n - Difusão Eficaz?n_i - Concentração Intrínseca?Q_b - Impureza total?

Exemplo de Corrente de saturação no transistor

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação no transistor com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação no transistor com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação no transistor.

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

2.1175A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Circuitos Integrados (CI) » fx Corrente de saturação no transistor

Corrente de saturação no transistor Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de saturação no transistor?

Primeiro passo Considere a fórmula

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I sat = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I sat = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 0.5 \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{360000m²}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I sat = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 0.5 \cdot {1.3E+6}^{2}}{360000}

Último passo Avalie

∴

I sat = 2.1175A

Corrente de saturação no transistor Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de saturação

Corrente de saturação refere-se à corrente máxima que pode fluir através do transistor quando ele está totalmente ligado.

Símbolo: I_sat

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de saturação

Open Variable

Cobrar

Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.

Símbolo: q

Medição: Carga elétricaUnidade: mC

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Cobrar

Open Variable

Área de junção da base do emissor

A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.

Símbolo: A

Medição: ÁreaUnidade: cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Área de junção da base do emissor

Open Variable

Difusão Eficaz

A difusão efetiva é um parâmetro relacionado ao processo de difusão dos portadores e é influenciada pelas propriedades do material e pela geometria da junção semicondutora.

Símbolo: D_n

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Difusão Eficaz

Open Variable

Concentração Intrínseca

Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração Intrínseca

Open Variable

Impureza total

A Impureza Total define as impurezas que são misturadas em átomo por unidade de área em uma base ou a quantidade de impureza adicionada a um semicondutor intrínseco varia seu nível de condutividade.

Símbolo: Q_b

Medição: ÁreaUnidade: cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Impureza total

Open Variable

Outras fórmulas na categoria Fabricação de CI bipolar

Ir Impureza com Concentração Intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Condutividade ôhmica da impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ir Tensão de ruptura do emissor coletor

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Condutividade do Tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Ver mais

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Como avaliar Corrente de saturação no transistor?

O avaliador Corrente de saturação no transistor usa Saturation Current = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total para avaliar Corrente de saturação, A fórmula da Corrente de Saturação no Transistor é a parte da corrente reversa em um diodo semicondutor causada pela difusão de portadores minoritários das regiões neutras para a região de depleção. Esta corrente é quase independente da tensão reversa. Corrente de saturação é denotado pelo símbolo I_sat.

Como avaliar Corrente de saturação no transistor usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de saturação no transistor, insira Cobrar (q), Área de junção da base do emissor (A), Difusão Eficaz (D_n), Concentração Intrínseca (n_i) & Impureza total (Q_b) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de saturação no transistor

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de saturação no transistor?

A fórmula de Corrente de saturação no transistor é expressa como Saturation Current = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total. Aqui está um exemplo: 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.

Como calcular Corrente de saturação no transistor?

Com Cobrar (q), Área de junção da base do emissor (A), Difusão Eficaz (D_n), Concentração Intrínseca (n_i) & Impureza total (Q_b) podemos encontrar Corrente de saturação no transistor usando a fórmula - Saturation Current = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total.

O Corrente de saturação no transistor pode ser negativo?

Sim, o Corrente de saturação no transistor, medido em Corrente elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de saturação no transistor?

Corrente de saturação no transistor geralmente é medido usando Ampere[A] para Corrente elétrica. Miliamperes[A], Microampère[A], Centiampere[A] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de saturação no transistor pode ser medido.

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