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Fórmula Corrente de saturação de canal curto VLSI

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A corrente de saturação de canal curto é definida como a corrente máxima que pode fluir através de um transistor de canal curto quando ele está no modo de saturação. Verifique FAQs

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

I_D(sat) - Corrente de saturação de canal curto?W_c - Largura de banda?v_d(sat) - Velocidade de deriva de elétrons de saturação?C_oxide - Capacitância de Óxido por Unidade de Área?V_Dsat - Tensão da fonte de drenagem de saturação?

Exemplo de Corrente de saturação de canal curto VLSI

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação de canal curto VLSI com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação de canal curto VLSI com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de saturação de canal curto VLSI.

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

527.25µA = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente de saturação de canal curto VLSI Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de saturação de canal curto VLSI?

Primeiro passo Considere a fórmula

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I D(sat) = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I D(sat) = 2.5E-6m \cdot 200000m/s \cdot 0.0007F/m² \cdot 1.5V

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I D(sat) = 2.5E-6 \cdot 200000 \cdot 0.0007 \cdot 1.5

Próxima Etapa Avalie

∴

I D(sat) = 0.00052725A

Último passo Converter para unidade de saída

∴

I D(sat) = 527.25µA

Corrente de saturação de canal curto VLSI Fórmula Elementos

Variáveis

Corrente de saturação de canal curto

A corrente de saturação de canal curto é definida como a corrente máxima que pode fluir através de um transistor de canal curto quando ele está no modo de saturação.

Símbolo: I_D(sat)

Medição: Corrente elétricaUnidade: µA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente de saturação de canal curto

Largura de banda

A largura do canal é definida como a largura física do canal semicondutor entre os terminais de fonte e dreno dentro da estrutura do transistor.

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Velocidade de deriva de elétrons de saturação

A velocidade de deriva de elétrons de saturação é definida como a velocidade máxima alcançada pelos elétrons em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.

Símbolo: v_d(sat)

Medição: VelocidadeUnidade: cm/s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Velocidade de deriva de elétrons de saturação

Capacitância de Óxido por Unidade de Área

A capacitância de óxido por unidade de área é definida como a capacitância por unidade de área da camada isolante de óxido que separa a porta de metal do material semicondutor.

Símbolo: C_oxide

Medição: Capacitância de óxido por unidade de áreaUnidade: μF/cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido por Unidade de Área

Tensão da fonte de drenagem de saturação

A tensão da fonte de dreno de saturação é definida como a tensão nos terminais de dreno e fonte de um MOSFET quando o transistor está operando no modo de saturação.

Símbolo: V_Dsat

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão da fonte de drenagem de saturação

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Ir Coeficiente DIBL

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Como avaliar Corrente de saturação de canal curto VLSI?

O avaliador Corrente de saturação de canal curto VLSI usa Short Channel Saturation Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação para avaliar Corrente de saturação de canal curto, A fórmula VLSI da corrente de saturação de canal curto é definida como a corrente máxima que pode fluir através de um transistor de canal curto quando ele está no modo de saturação. Corrente de saturação de canal curto é denotado pelo símbolo I_D(sat).

Como avaliar Corrente de saturação de canal curto VLSI usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de saturação de canal curto VLSI, insira Largura de banda (W_c), Velocidade de deriva de elétrons de saturação (v_d(sat)), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide) & Tensão da fonte de drenagem de saturação (V_Dsat) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de saturação de canal curto VLSI

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de saturação de canal curto VLSI?

A fórmula de Corrente de saturação de canal curto VLSI é expressa como Short Channel Saturation Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação. Aqui está um exemplo: 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.

Como calcular Corrente de saturação de canal curto VLSI?

Com Largura de banda (W_c), Velocidade de deriva de elétrons de saturação (v_d(sat)), Capacitância de Óxido por Unidade de Área (C_oxide) & Tensão da fonte de drenagem de saturação (V_Dsat) podemos encontrar Corrente de saturação de canal curto VLSI usando a fórmula - Short Channel Saturation Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação.

O Corrente de saturação de canal curto VLSI pode ser negativo?

Não, o Corrente de saturação de canal curto VLSI, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de saturação de canal curto VLSI?

Corrente de saturação de canal curto VLSI geralmente é medido usando Microampère[µA] para Corrente elétrica. Ampere[µA], Miliamperes[µA], Centiampere[µA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de saturação de canal curto VLSI pode ser medido.

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