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Fórmula Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

IrCorrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Fórmula

IrCorrente de drenagem geral do transistor PMOS Fórmula

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A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

I_d - Drenar Corrente?k'_p - Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS?WL - Proporção da tela?V_GS - Tensão entre Gate e Source?V_T - Tensão de limiar?V_DS - Tensão entre Dreno e Fonte?

Exemplo de Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS.

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

28.8635mA = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

28.8635 = 2.1 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

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Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I d = 2.1mS \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I d = 0.0021S \cdot 6 \cdot ((2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V)) \cdot 2.45V - \frac{1}{2} \cdot {(2.45V)}^{2})

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I d = 0.0021 \cdot 6 \cdot ((2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7)) \cdot 2.45 - \frac{1}{2} \cdot {(2.45)}^{2})

Próxima Etapa Avalie

∴

I d = 0.02886345A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I d = 28.86345mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I d = 28.8635mA

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Drenar Corrente

A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).

Símbolo: I_d

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Drenar Corrente

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_p

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

Proporção da tela

A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

Símbolo: WL

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Proporção da tela

Tensão entre Gate e Source

A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Source

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão entre Dreno e Fonte

A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

Símbolo: V_DS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Dreno e Fonte

modulus

O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número.

Sintaxe: modulus

Outras fórmulas para encontrar Drenar Corrente

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Ir Corrente no canal de inversão do PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Ir Corrente de dreno da fonte para o dreno

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ir Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

Ir Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

V y = μ p \cdot E y

Ver mais

Como avaliar Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

O avaliador Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS usa Drain Current = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2) para avaliar Drenar Corrente, A corrente de drenagem na região triodo do transistor PMOS onde a fonte é a pequena tensão e o dreno é a maior tensão (eles são intercambiáveis). Em PMOS, os buracos do transistor são os portadores de carga e os fluxos de corrente por causa dos buracos. Drenar Corrente é denotado pelo símbolo I_d.

Como avaliar Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS, insira Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (k'_p), Proporção da tela (WL), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

A fórmula de Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS é expressa como Drain Current = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2). Aqui está um exemplo: 28863.45 = 0.0021*6*((2.86-modulus(0.7))*2.45-1/2*(2.45)^2).

Como calcular Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

Com Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (k'_p), Proporção da tela (WL), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) podemos encontrar Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS usando a fórmula - Drain Current = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2). Esta fórmula também usa funções "Função Módulo".

Quais são as outras maneiras de calcular Drenar Corrente?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar Corrente-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

O Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS pode ser negativo?

Não, o Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS pode ser medido.

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Fórmula Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

​IrCorrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Fórmula

​IrCorrente de drenagem geral do transistor PMOS Fórmula

Exemplo de Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS Solução

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS Fórmula Elementos

Outras fórmulas para encontrar Drenar Corrente

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Como avaliar Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS?

FAQs sobre Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

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IrCorrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Fórmula

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