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Fórmula Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

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Corrente de drenagem da região de saturação é a corrente que flui do terminal de drenagem para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico. Verifique FAQs

I D(sat) = W \cdot V d(sat) \cdot \int (q \cdot n x, x, 0, L eff)

I_D(sat) - Corrente de drenagem da região de saturação?W - Largura de banda?V_d(sat) - Velocidade de deriva de elétrons de saturação?q - Carregar?n_x - Parâmetro de canal curto?L_eff - Comprimento Efetivo do Canal?

Exemplo de Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS.

184.2744 = 2.678 \cdot 5.773 \cdot \int (0.3 \cdot 5.12, x, 0, 7.76)

184.2744A = 2.678m \cdot 5.773m/s \cdot \int (0.3C \cdot 5.12, x, 0, 7.76m)

184.2744 = 2.678 \cdot 5.773 \cdot \int (0.3 \cdot 5.12, x, 0, 7.76)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

I D(sat) = W \cdot V d(sat) \cdot \int (q \cdot n x, x, 0, L eff)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I D(sat) = 2.678m \cdot 5.773m/s \cdot \int (0.3C \cdot 5.12, x, 0, 7.76m)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I D(sat) = 2.678 \cdot 5.773 \cdot \int (0.3 \cdot 5.12, x, 0, 7.76)

Próxima Etapa Avalie

∴

I D(sat) = 184.27442601984A

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I D(sat) = 184.2744A

Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Corrente de drenagem da região de saturação

Corrente de drenagem da região de saturação é a corrente que flui do terminal de drenagem para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico.

Símbolo: I_D(sat)

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de drenagem da região de saturação

Largura de banda

A largura do canal representa a largura do canal condutor dentro de um MOSFET, afetando diretamente a quantidade de corrente que ele pode suportar.

Símbolo: W

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Velocidade de deriva de elétrons de saturação

A velocidade de deriva de elétrons de saturação representa a velocidade de deriva de elétrons na saturação em um MOSFET que está em campos elétricos baixos.

Símbolo: V_d(sat)

Medição: VelocidadeUnidade: m/s

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Velocidade de deriva de elétrons de saturação

Carregar

Uma Carga é a propriedade fundamental das formas de matéria que exibem atração ou repulsão eletrostática na presença de outra matéria.

Símbolo: q

Medição: Carga elétricaUnidade: C

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Carregar

Parâmetro de canal curto

Parâmetro de canal curto é um parâmetro (potencialmente específico do modelo) usado para descrever uma característica da região do canal em um MOSFET de canal curto.

Símbolo: n_x

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de canal curto

Comprimento Efetivo do Canal

O comprimento efetivo do canal é a parte do canal que conduz ativamente a corrente quando o transistor está operando.

Símbolo: L_eff

Medição: ComprimentoUnidade: m

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Comprimento Efetivo do Canal

int

A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida assinada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x.

Sintaxe: int(expr, arg, from, to)

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Como avaliar Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS?

O avaliador Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS usa Saturation Region Drain Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal) para avaliar Corrente de drenagem da região de saturação, A fórmula da corrente de dreno na região de saturação no transistor MOS é definida como a corrente que flui do terminal de dreno para o terminal de fonte quando o transistor está operando em um modo específico. Corrente de drenagem da região de saturação é denotado pelo símbolo I_D(sat).

Como avaliar Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS, insira Largura de banda (W), Velocidade de deriva de elétrons de saturação (V_d(sat)), Carregar (q), Parâmetro de canal curto (n_x) & Comprimento Efetivo do Canal (L_eff) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS?

A fórmula de Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS é expressa como Saturation Region Drain Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal). Aqui está um exemplo: 184.2744 = 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76).

Como calcular Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS?

Com Largura de banda (W), Velocidade de deriva de elétrons de saturação (V_d(sat)), Carregar (q), Parâmetro de canal curto (n_x) & Comprimento Efetivo do Canal (L_eff) podemos encontrar Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS usando a fórmula - Saturation Region Drain Current = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal). Esta fórmula também usa funções Integral Definido (int).

O Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS pode ser negativo?

Sim, o Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS, medido em Corrente elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS?

Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS geralmente é medido usando Ampere[A] para Corrente elétrica. Miliamperes[A], Microampère[A], Centiampere[A] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS pode ser medido.

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