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Fórmula Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

IrCorrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS Fórmula

IrCorrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd Fórmula

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A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET). Verifique FAQs

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

I_d - Drenar Corrente?k'_p - Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS?WL - Proporção da tela?V_GS - Tensão entre Gate e Source?V_T - Tensão de limiar?V_DS - Tensão entre Dreno e Fonte?V_a - Tensão inicial?

Exemplo de Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem geral do transistor PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem geral do transistor PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem geral do transistor PMOS.

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

30.8336mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de drenagem geral do transistor PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Próxima Etapa Converter unidades

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

Próxima Etapa Avalie

∴

I d = 0.03083355072A

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

I d = 30.83355072mA

Último passo Resposta de arredondamento

∴

I d = 30.8336mA

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Drenar Corrente

A corrente de dreno é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).

Símbolo: I_d

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Drenar Corrente

Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.

Símbolo: k'_p

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS

Proporção da tela

A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte

Símbolo: WL

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Proporção da tela

Tensão entre Gate e Source

A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Source

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão entre Dreno e Fonte

A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

Símbolo: V_DS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Dreno e Fonte

Tensão inicial

A tensão inicial é totalmente dependente da tecnologia de processo, com as dimensões de volts por mícron.

Símbolo: V_a

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão inicial

modulus

O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número.

Sintaxe: modulus

Outras fórmulas para encontrar Drenar Corrente

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Corrente de drenagem geral do transistor PMOS?

O avaliador Corrente de drenagem geral do transistor PMOS usa Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial)) para avaliar Drenar Corrente, A corrente de dreno geral do transistor PMOS, a corrente de dreno primeiro aumenta linearmente com a tensão dreno-para-fonte aplicada, mas depois atinge um valor máximo. Uma camada de depleção localizada na extremidade do dreno da porta acomoda a tensão dreno para a fonte adicional. Este comportamento é conhecido como dreno de corrente. Drenar Corrente é denotado pelo símbolo I_d.

Como avaliar Corrente de drenagem geral do transistor PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de drenagem geral do transistor PMOS, insira Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (k'_p), Proporção da tela (WL), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T), Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) & Tensão inicial (V_a) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de drenagem geral do transistor PMOS?

A fórmula de Corrente de drenagem geral do transistor PMOS é expressa como Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial)). Aqui está um exemplo: 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)).

Como calcular Corrente de drenagem geral do transistor PMOS?

Com Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (k'_p), Proporção da tela (WL), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T), Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) & Tensão inicial (V_a) podemos encontrar Corrente de drenagem geral do transistor PMOS usando a fórmula - Drain Current = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial)). Esta fórmula também usa funções Módulo (módulo).

Quais são as outras maneiras de calcular Drenar Corrente?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Drenar Corrente-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

O Corrente de drenagem geral do transistor PMOS pode ser negativo?

Não, o Corrente de drenagem geral do transistor PMOS, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Corrente de drenagem geral do transistor PMOS?

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS geralmente é medido usando Miliamperes[mA] para Corrente elétrica. Ampere[mA], Microampère[mA], Centiampere[mA] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de drenagem geral do transistor PMOS pode ser medido.

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Fórmula Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

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Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Solução

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS Fórmula Elementos

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FAQs sobre Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

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