Fórmula Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

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Corrente de drenagem refere-se à corrente que flui entre os terminais de drenagem e fonte do transistor quando ele está em operação. Verifique FAQs
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
Id - Corrente de drenagem?β - Parâmetro de Transcondutância?Vgs - Tensão da Fonte da Porta?Vth - Tensão limite com polarização corporal zero?λi - Fator de modulação de comprimento de canal?Vds - Tensão da fonte de drenagem?

Exemplo de Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação com valores.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação com unidades.

Esta é a aparência da equação Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação.

0.0137Edit=0.0025Edit2(2.45Edit-3.4Edit)2(1+9Edit1.24Edit)
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Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação?

Primeiro passo Considere a fórmula
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Id=0.0025S2(2.45V-3.4V)2(1+91.24V)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Id=0.00252(2.45-3.4)2(1+91.24)
Próxima Etapa Avalie
Id=0.013718A
Último passo Resposta de arredondamento
Id=0.0137A

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação Fórmula Elementos

Variáveis
Corrente de drenagem
Corrente de drenagem refere-se à corrente que flui entre os terminais de drenagem e fonte do transistor quando ele está em operação.
Símbolo: Id
Medição: Corrente elétricaUnidade: A
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Parâmetro de Transcondutância
O parâmetro de transcondutância é definido como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada de um dispositivo.
Símbolo: β
Medição: Condutância ElétricaUnidade: S
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão da Fonte da Porta
A tensão da fonte do portão refere-se à diferença de potencial entre o terminal do portão e o terminal da fonte do dispositivo. Esta tensão desempenha um papel crucial no controle da condutividade do MOSFET.
Símbolo: Vgs
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão limite com polarização corporal zero
Tensão limite com polarização zero do corpo refere-se à tensão limite quando não há polarização externa aplicada ao substrato semicondutor (terminal do corpo).
Símbolo: Vth
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Fator de modulação de comprimento de canal
Fator de modulação do comprimento do canal onde o comprimento efetivo do canal aumenta com um aumento na tensão dreno-fonte.
Símbolo: λi
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão da fonte de drenagem
A tensão da fonte do dreno é a tensão entre o dreno e o terminal da fonte.
Símbolo: Vds
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Fabricação de IC MOS

​Ir Efeito Corporal no MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​Ir Frequência de ganho unitário MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​Ir Resistência do Canal
Rch=LtWt1μnQon
​Ir Tempo de propagação
Tp=0.7N(N+12)RmCl

Como avaliar Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação?

O avaliador Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação usa Drain Current = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem) para avaliar Corrente de drenagem, A Corrente de Dreno do MOSFET na Região de Saturação é definida como o fenômeno onde o comprimento efetivo do canal aumenta com um aumento na tensão dreno-fonte. Corrente de drenagem é denotado pelo símbolo Id.

Como avaliar Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação, insira Parâmetro de Transcondutância (β), Tensão da Fonte da Porta (Vgs), Tensão limite com polarização corporal zero (Vth), Fator de modulação de comprimento de canal i) & Tensão da fonte de drenagem (Vds) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Qual é a fórmula para encontrar Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação?
A fórmula de Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação é expressa como Drain Current = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem). Aqui está um exemplo: 0.013718 = 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24).
Como calcular Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação?
Com Parâmetro de Transcondutância (β), Tensão da Fonte da Porta (Vgs), Tensão limite com polarização corporal zero (Vth), Fator de modulação de comprimento de canal i) & Tensão da fonte de drenagem (Vds) podemos encontrar Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação usando a fórmula - Drain Current = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem).
O Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação pode ser negativo?
Não, o Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação, medido em Corrente elétrica não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação?
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação geralmente é medido usando Ampere[A] para Corrente elétrica. Miliamperes[A], Microampère[A], Centiampere[A] são as poucas outras unidades nas quais Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação pode ser medido.
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