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Fórmula Condutividade ôhmica da impureza

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A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro. Verifique FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

σ - Condutividade Ohmica?q - Cobrar?μ_n - Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica?n_e - Concentração de Elétrons?μ_p - Dopagem de furos Mobilidade de silício?p - Concentração de Buraco?

Exemplo de Condutividade ôhmica da impureza

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Condutividade ôhmica da impureza com valores.

Esta é a aparência da equação Condutividade ôhmica da impureza com unidades.

Esta é a aparência da equação Condutividade ôhmica da impureza.

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

0.1044mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Circuitos Integrados (CI) » fx Condutividade ôhmica da impureza

Condutividade ôhmica da impureza Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Condutividade ôhmica da impureza?

Primeiro passo Considere a fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

Próxima Etapa Converter unidades

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 5.1E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot 6900001/m³)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 5.1E+7 + 0.0002 \cdot 690000)

Próxima Etapa Avalie

∴

σ = 10.442S/m

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

σ = 0.10442mho/cm

Último passo Resposta de arredondamento

∴

σ = 0.1044mho/cm

Condutividade ôhmica da impureza Fórmula Elementos

Variáveis

Condutividade Ohmica

A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.

Símbolo: σ

Medição: Condutividade elétricaUnidade: mho/cm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Condutividade Ohmica

Cobrar

Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.

Símbolo: q

Medição: Carga elétricaUnidade: mC

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Cobrar

Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica

A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica

Concentração de Elétrons

A concentração de elétrons é influenciada por vários fatores, como temperatura, impurezas ou dopantes adicionados ao material semicondutor e campos elétricos ou magnéticos externos.

Símbolo: n_e

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Elétrons

Dopagem de furos Mobilidade de silício

Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.

Símbolo: μ_p

Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Dopagem de furos Mobilidade de silício

Concentração de Buraco

A concentração de furos implica um maior número de portadores de carga disponíveis no material, afetando sua condutividade e diversos dispositivos semicondutores.

Símbolo: p

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Buraco

Outras fórmulas para encontrar Condutividade Ohmica

Ir Condutividade do Tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Ir Condutividade do tipo P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Outras fórmulas na categoria Fabricação de CI bipolar

Ir Impureza com Concentração Intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Tensão de ruptura do emissor coletor

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Resistência da Camada Difusa

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Ir Resistência da Folha da Camada

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Ver mais

Como avaliar Condutividade ôhmica da impureza?

O avaliador Condutividade ôhmica da impureza usa Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco) para avaliar Condutividade Ohmica, A Condutividade Ohmica da Impureza refere-se especificamente a uma relação linear entre a corrente que passa através de um material e a tensão aplicada. No contexto dos átomos de impureza em um semicondutor, o comportamento da condutividade é determinado principalmente pela concentração do dopante, pelos portadores de carga introduzidos e pela sua mobilidade dentro da rede cristalina. Condutividade Ohmica é denotado pelo símbolo σ.

Como avaliar Condutividade ôhmica da impureza usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Condutividade ôhmica da impureza, insira Cobrar (q), Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica (μ_n), Concentração de Elétrons (n_e), Dopagem de furos Mobilidade de silício (μ_p) & Concentração de Buraco (p) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Condutividade ôhmica da impureza

Qual é a fórmula para encontrar Condutividade ôhmica da impureza?

A fórmula de Condutividade ôhmica da impureza é expressa como Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco). Aqui está um exemplo: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).

Como calcular Condutividade ôhmica da impureza?

Com Cobrar (q), Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica (μ_n), Concentração de Elétrons (n_e), Dopagem de furos Mobilidade de silício (μ_p) & Concentração de Buraco (p) podemos encontrar Condutividade ôhmica da impureza usando a fórmula - Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco).

Quais são as outras maneiras de calcular Condutividade Ohmica?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Condutividade Ohmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

O Condutividade ôhmica da impureza pode ser negativo?

Não, o Condutividade ôhmica da impureza, medido em Condutividade elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Condutividade ôhmica da impureza?

Condutividade ôhmica da impureza geralmente é medido usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Condutividade elétrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/metro[mho/cm], Abmho/metro[mho/cm] são as poucas outras unidades nas quais Condutividade ôhmica da impureza pode ser medido.

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Condutividade ôhmica da impureza Fórmula Elementos

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FAQs sobre Condutividade ôhmica da impureza

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