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Fórmula Condutividade do tipo P

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A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro. Verifique FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

σ - Condutividade Ohmica?q - Cobrar?μ_n - Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica?n_i - Concentração Intrínseca?N_a - Concentração de equilíbrio do tipo P?μ_p - Dopagem de furos Mobilidade de silício?

Exemplo de Condutividade do tipo P

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Condutividade do tipo P com valores.

Esta é a aparência da equação Condutividade do tipo P com unidades.

Esta é a aparência da equação Condutividade do tipo P.

0.0857 = 5 \cdot (0.38 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{7.1}) + 2.4 \cdot 7.1)

0.0857mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{7.11/cm³}) + 2.4cm²/V*s \cdot 7.11/cm³)

0.0857 = 5 \cdot (0.38 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{7.1}) + 2.4 \cdot 7.1)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Circuitos Integrados (CI) » fx Condutividade do tipo P

Condutividade do tipo P Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Condutividade do tipo P?

Primeiro passo Considere a fórmula

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{7.11/cm³}) + 2.4cm²/V*s \cdot 7.11/cm³)

Próxima Etapa Converter unidades

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{7.1E+61/m³}) + 0.0002m²/V*s \cdot 7.1E+61/m³)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{7.1E+6}) + 0.0002 \cdot 7.1E+6)

Próxima Etapa Avalie

∴

σ = 8.5666276056338S/m

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

σ = 0.085666276056338mho/cm

Último passo Resposta de arredondamento

∴

σ = 0.0857mho/cm

Condutividade do tipo P Fórmula Elementos

Variáveis

Condutividade Ohmica

A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.

Símbolo: σ

Medição: Condutividade elétricaUnidade: mho/cm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Condutividade Ohmica

Cobrar

Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.

Símbolo: q

Medição: Carga elétricaUnidade: mC

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Cobrar

Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica

A mobilidade do silício com dopagem eletrônica caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor quando puxado por um campo elétrico.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica

Concentração Intrínseca

Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração Intrínseca

Concentração de equilíbrio do tipo P

A concentração de equilíbrio dos elétrons do tipo P são os portadores minoritários e as lacunas são os portadores majoritários.

Símbolo: N_a

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de equilíbrio do tipo P

Dopagem de furos Mobilidade de silício

Hole Doping Silicon Mobility é a capacidade de um buraco viajar através de um metal ou semicondutor na presença de um campo elétrico aplicado.

Símbolo: μ_p

Medição: MobilidadeUnidade: cm²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Dopagem de furos Mobilidade de silício

Outras fórmulas para encontrar Condutividade Ohmica

Ir Condutividade ôhmica da impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ir Condutividade do Tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Outras fórmulas na categoria Fabricação de CI bipolar

Ir Impureza com Concentração Intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Tensão de ruptura do emissor coletor

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Resistência da Camada Difusa

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

Ir Resistência da Folha da Camada

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Ver mais

Como avaliar Condutividade do tipo P?

O avaliador Condutividade do tipo P usa Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P) para avaliar Condutividade Ohmica, A fórmula de Condutividade do Tipo P se deve à presença de furos. Em um semicondutor tipo P, o nível de Fermi fica entre o nível de energia do aceitador e a banda de valência. Condutividade Ohmica é denotado pelo símbolo σ.

Como avaliar Condutividade do tipo P usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Condutividade do tipo P, insira Cobrar (q), Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica (μ_n), Concentração Intrínseca (n_i), Concentração de equilíbrio do tipo P (N_a) & Dopagem de furos Mobilidade de silício (μ_p) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Condutividade do tipo P

Qual é a fórmula para encontrar Condutividade do tipo P?

A fórmula de Condutividade do tipo P é expressa como Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P). Aqui está um exemplo: 0.000857 = 0.005*(3.8E-05*(1320000^2/7100000)+0.00024*7100000).

Como calcular Condutividade do tipo P?

Com Cobrar (q), Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica (μ_n), Concentração Intrínseca (n_i), Concentração de equilíbrio do tipo P (N_a) & Dopagem de furos Mobilidade de silício (μ_p) podemos encontrar Condutividade do tipo P usando a fórmula - Ohmic Conductivity = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P).

Quais são as outras maneiras de calcular Condutividade Ohmica?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Condutividade Ohmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))

O Condutividade do tipo P pode ser negativo?

Não, o Condutividade do tipo P, medido em Condutividade elétrica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Condutividade do tipo P?

Condutividade do tipo P geralmente é medido usando Mho/Centímetro[mho/cm] para Condutividade elétrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/metro[mho/cm], Abmho/metro[mho/cm] são as poucas outras unidades nas quais Condutividade do tipo P pode ser medido.

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