FormulaDen.com

Física Química Matemática Engenheiro químico Civil Elétrico Eletrônicos Eletrônica e Instrumentação Ciência de materiais Mecânico Engenharia de Produção Financeiro Saúde

Fórmula Condutância do Canal de MOSFETs

Fx cópia de

LaTeX cópia de

A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele. Verifique FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot V ox

G - Condutância do Canal?μ_s - Mobilidade de elétrons na superfície do canal?C_ox - Capacitância de Óxido?W_c - Largura de banda?L - Comprimento do canal?V_ox - Tensão através do Óxido?

Exemplo de Condutância do Canal de MOSFETs

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Condutância do Canal de MOSFETs com valores.

Esta é a aparência da equação Condutância do Canal de MOSFETs com unidades.

Esta é a aparência da equação Condutância do Canal de MOSFETs.

19.2888 = 38 \cdot 940 \cdot (\frac{10}{100}) \cdot 5.4

19.2888mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot (\frac{10μm}{100μm}) \cdot 5.4V

19.2888 = 38 \cdot 940 \cdot (\frac{10}{100}) \cdot 5.4

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

Calcular

Recalcular

Solução

cópia de

Reiniciar

Você está aqui -

Lar » Category

Engenharia » Category

Eletrônicos » Category

Eletrônica Analógica » fx Condutância do Canal de MOSFETs

Condutância do Canal de MOSFETs Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Condutância do Canal de MOSFETs?

Primeiro passo Considere a fórmula

G = μ s \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot V ox

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot (\frac{10μm}{100μm}) \cdot 5.4V

Próxima Etapa Converter unidades

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot (\frac{1E-5m}{0.0001m}) \cdot 5.4V

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot (\frac{1E-5}{0.0001}) \cdot 5.4

Próxima Etapa Avalie

∴

G = 0.0192888S

Último passo Converter para unidade de saída

∴

G = 19.2888mS

Condutância do Canal de MOSFETs Fórmula Elementos

Variáveis

Condutância do Canal

A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele.

Símbolo: G

Medição: Condutância ElétricaUnidade: mS

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Condutância do Canal

Mobilidade de elétrons na superfície do canal

A mobilidade dos elétrons na superfície do canal refere-se à capacidade dos elétrons de se moverem ou viajarem através da superfície de um material semicondutor, como um canal de silício em um transistor.

Símbolo: μ_s

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade de elétrons na superfície do canal

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Largura de banda

A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).

Símbolo: W_c

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura de banda

Comprimento do canal

O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: L

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do canal

Tensão através do Óxido

Tensão através do óxido devido à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.

Símbolo: V_ox

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão através do Óxido

Outras fórmulas na categoria Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência

Ir Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

W c = \frac{C oc}{C ox \cdot L ov}

Ir Capacitância de sobreposição do MOSFET

C oc = W c \cdot C ox \cdot L ov

Ir Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

C g = C ox \cdot W c \cdot L

Ir Frequência de Transição do MOSFET

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

Ver mais

Como avaliar Condutância do Canal de MOSFETs?

O avaliador Condutância do Canal de MOSFETs usa Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido para avaliar Condutância do Canal, A condutância do canal dos MOSFETs, definida como a razão da corrente iônica através do canal para a tensão aplicada, pode ser calculada uma vez que a corrente, o número de íons que atravessam o canal por unidade de tempo quando um campo elétrico externo é aplicado ao sistema . Condutância do Canal é denotado pelo símbolo G.

Como avaliar Condutância do Canal de MOSFETs usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Condutância do Canal de MOSFETs, insira Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L) & Tensão através do Óxido (V_ox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Condutância do Canal de MOSFETs

Qual é a fórmula para encontrar Condutância do Canal de MOSFETs?

A fórmula de Condutância do Canal de MOSFETs é expressa como Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido. Aqui está um exemplo: 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4.

Como calcular Condutância do Canal de MOSFETs?

Com Mobilidade de elétrons na superfície do canal (μ_s), Capacitância de Óxido (C_ox), Largura de banda (W_c), Comprimento do canal (L) & Tensão através do Óxido (V_ox) podemos encontrar Condutância do Canal de MOSFETs usando a fórmula - Conductance of Channel = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido.

O Condutância do Canal de MOSFETs pode ser negativo?

Sim, o Condutância do Canal de MOSFETs, medido em Condutância Elétrica pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Condutância do Canal de MOSFETs?

Condutância do Canal de MOSFETs geralmente é medido usando Millisiemens[mS] para Condutância Elétrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] são as poucas outras unidades nas quais Condutância do Canal de MOSFETs pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidade

Fórmula Condutância do Canal de MOSFETs

Exemplo de Condutância do Canal de MOSFETs

Condutância do Canal de MOSFETs Solução

Condutância do Canal de MOSFETs Fórmula Elementos

Outras fórmulas na categoria Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência

Como avaliar Condutância do Canal de MOSFETs?

FAQs sobre Condutância do Canal de MOSFETs

Variable Name