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Fórmula Concentração de dopante doador

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A Concentração de Dopante Doador é a concentração de átomos doadores por unidade de volume. Verifique FAQs

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

N_d - Concentração de dopante doador?I_sat - Corrente de saturação?L_t - Comprimento do transistor?W_t - Largura do transistor?μ_n - Mobilidade Eletrônica?C_dep - Capacitância da camada de esgotamento?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Concentração de dopante doador

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante doador com valores.

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante doador com unidades.

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante doador.

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

1.7E+23electrons/m³ = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Circuitos Integrados (CI) » fx Concentração de dopante doador

Concentração de dopante doador Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Concentração de dopante doador?

Primeiro passo Considere a fórmula

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{[Charge-e] \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2E-6m}{1.6E-19C \cdot 5.5E-6m \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

N d = \frac{2.015 \cdot 3.2E-6}{1.6E-19 \cdot 5.5E-6 \cdot 30 \cdot 1.4E-6}

Próxima Etapa Avalie

∴

N d = 1.74221865211214E+23electrons/m³

Último passo Resposta de arredondamento

∴

N d = 1.7E+23electrons/m³

Concentração de dopante doador Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Concentração de dopante doador

A Concentração de Dopante Doador é a concentração de átomos doadores por unidade de volume.

Símbolo: N_d

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/m³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de dopante doador

Corrente de saturação

Corrente de saturação refere-se à corrente máxima que pode fluir através do transistor quando ele está totalmente ligado.

Símbolo: I_sat

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Corrente de saturação

Comprimento do transistor

O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: L_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do transistor

Largura do transistor

A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: W_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura do transistor

Mobilidade Eletrônica

A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.

Símbolo: μ_n

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade Eletrônica

Capacitância da camada de esgotamento

A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.

Símbolo: C_dep

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância da camada de esgotamento

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

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Ir Efeito Corporal no MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Ir Frequência de ganho unitário MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Ir Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Ir Resistência do Canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Ver mais

Como avaliar Concentração de dopante doador?

O avaliador Concentração de dopante doador usa Donor Dopant Concentration = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento) para avaliar Concentração de dopante doador, A fórmula de concentração de dopante doador é definida como a concentração de átomos doadores introduzidos intencionalmente em um material semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livre (elétrons) disponíveis para condução. Concentração de dopante doador é denotado pelo símbolo N_d.

Como avaliar Concentração de dopante doador usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Concentração de dopante doador, insira Corrente de saturação (I_sat), Comprimento do transistor (L_t), Largura do transistor (W_t), Mobilidade Eletrônica (μ_n) & Capacitância da camada de esgotamento (C_dep) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Concentração de dopante doador

Qual é a fórmula para encontrar Concentração de dopante doador?

A fórmula de Concentração de dopante doador é expressa como Donor Dopant Concentration = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento). Aqui está um exemplo: 1.7E+23 = (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06).

Como calcular Concentração de dopante doador?

Com Corrente de saturação (I_sat), Comprimento do transistor (L_t), Largura do transistor (W_t), Mobilidade Eletrônica (μ_n) & Capacitância da camada de esgotamento (C_dep) podemos encontrar Concentração de dopante doador usando a fórmula - Donor Dopant Concentration = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento). Esta fórmula também usa Carga do elétron constante(s).

O Concentração de dopante doador pode ser negativo?

Não, o Concentração de dopante doador, medido em Densidade Eletrônica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Concentração de dopante doador?

Concentração de dopante doador geralmente é medido usando Elétrons por metro cúbico[electrons/m³] para Densidade Eletrônica. Elétrons por Centímetro Cúbico[electrons/m³] são as poucas outras unidades nas quais Concentração de dopante doador pode ser medido.

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