FormulaDen.com

Física Química Matemática Engenheiro químico Civil Elétrico Eletrônicos Eletrônica e Instrumentação Ciência de materiais Mecânico Engenharia de Produção Financeiro Saúde

Fórmula Concentração de dopante aceitante

Fx cópia de

LaTeX cópia de

A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor. Verifique FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Concentração de dopante aceitante?L_t - Comprimento do transistor?W_t - Largura do transistor?μ_p - Mobilidade do Buraco?C_dep - Capacitância da camada de esgotamento?[Charge-e] - Carga do elétron?π - Constante de Arquimedes?

Exemplo de Concentração de dopante aceitante

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante aceitante com valores.

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante aceitante com unidades.

Esta é a aparência da equação Concentração de dopante aceitante.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

Calcular

Recalcular

Solução

cópia de

Reiniciar

Você está aqui -

Lar » Category

Engenharia » Category

Eletrônicos » Category

Circuitos Integrados (CI) » fx Concentração de dopante aceitante

Concentração de dopante aceitante Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Concentração de dopante aceitante?

Primeiro passo Considere a fórmula

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

Próxima Etapa Avalie

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Último passo Resposta de arredondamento

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Concentração de dopante aceitante Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Concentração de dopante aceitante

A concentração de dopante do aceitador é a mobilidade dos portadores de carga (buracos, neste caso) e as dimensões do dispositivo semicondutor.

Símbolo: N_a

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/m³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de dopante aceitante

Comprimento do transistor

O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: L_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do transistor

Largura do transistor

A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: W_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura do transistor

Mobilidade do Buraco

A Mobilidade do Buraco representa a capacidade desses portadores de carga de se moverem em resposta a um campo elétrico.

Símbolo: μ_p

Medição: MobilidadeUnidade: m²/V*s

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Mobilidade do Buraco

Capacitância da camada de esgotamento

A capacitância da camada de esgotamento por unidade de área é a capacitância da camada de esgotamento por unidade de área.

Símbolo: C_dep

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância da camada de esgotamento

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Constante de Arquimedes

A constante de Arquimedes é uma constante matemática que representa a razão entre a circunferência de um círculo e seu diâmetro.

Símbolo: π

Valor: 3.14159265358979323846264338327950288

Outras fórmulas na categoria Fabricação de IC MOS

Ir Efeito Corporal no MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Ir Frequência de ganho unitário MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Ir Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Ir Resistência do Canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Ver mais

Como avaliar Concentração de dopante aceitante?

O avaliador Concentração de dopante aceitante usa Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento) para avaliar Concentração de dopante aceitante, A fórmula da Concentração de Dopante Aceitador é definida como a concentração de átomos aceitadores por unidade de volume. Refere-se à concentração de átomos dopantes adicionados intencionalmente a um material semicondutor para criar um excesso de "buracos" carregados positivamente na rede cristalina. Concentração de dopante aceitante é denotado pelo símbolo N_a.

Como avaliar Concentração de dopante aceitante usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Concentração de dopante aceitante, insira Comprimento do transistor (L_t), Largura do transistor (W_t), Mobilidade do Buraco (μ_p) & Capacitância da camada de esgotamento (C_dep) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Concentração de dopante aceitante

Qual é a fórmula para encontrar Concentração de dopante aceitante?

A fórmula de Concentração de dopante aceitante é expressa como Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento). Aqui está um exemplo: 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

Como calcular Concentração de dopante aceitante?

Com Comprimento do transistor (L_t), Largura do transistor (W_t), Mobilidade do Buraco (μ_p) & Capacitância da camada de esgotamento (C_dep) podemos encontrar Concentração de dopante aceitante usando a fórmula - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento). Esta fórmula também usa Carga do elétron, Constante de Arquimedes .

O Concentração de dopante aceitante pode ser negativo?

Não, o Concentração de dopante aceitante, medido em Densidade Eletrônica não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Concentração de dopante aceitante?

Concentração de dopante aceitante geralmente é medido usando Elétrons por metro cúbico[electrons/m³] para Densidade Eletrônica. Elétrons por Centímetro Cúbico[electrons/m³] são as poucas outras unidades nas quais Concentração de dopante aceitante pode ser medido.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valor
: Unidade

Fórmula Concentração de dopante aceitante

Exemplo de Concentração de dopante aceitante

Concentração de dopante aceitante Solução

Concentração de dopante aceitante Fórmula Elementos

Outras fórmulas na categoria Fabricação de IC MOS

Como avaliar Concentração de dopante aceitante?

FAQs sobre Concentração de dopante aceitante

Variable Name