Fórmula Concentração de Defeito Schottky

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O número de defeitos de Schottky representa o número de equilíbrio de defeitos de Schottky por metro cúbico. Verifique FAQs
NS=Nexp(-Qs2RT)
NS - Número de defeitos de Schottky?N - Número de sítios atômicos?Qs - Energia de ativação para a formação Schottky?R - Constante de gás universal?T - Temperatura?

Exemplo de Concentração de Defeito Schottky

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Concentração de Defeito Schottky com valores.

Esta é a aparência da equação Concentração de Defeito Schottky com unidades.

Esta é a aparência da equação Concentração de Defeito Schottky.

8E+28Edit=8E+28Editexp(-2.6Edit28.314Edit85Edit)
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Concentração de Defeito Schottky Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Concentração de Defeito Schottky?

Primeiro passo Considere a fórmula
NS=Nexp(-Qs2RT)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
NS=8E+28exp(-2.6eV28.31485K)
Próxima Etapa Converter unidades
NS=8E+28exp(-4.2E-19J28.31485K)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
NS=8E+28exp(-4.2E-1928.31485)
Último passo Avalie
NS=8E+28

Concentração de Defeito Schottky Fórmula Elementos

Variáveis
Funções
Número de defeitos de Schottky
O número de defeitos de Schottky representa o número de equilíbrio de defeitos de Schottky por metro cúbico.
Símbolo: NS
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Número de sítios atômicos
Número de sítios atômicos por metro cúbico.
Símbolo: N
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Energia de ativação para a formação Schottky
A energia de ativação para a formação de Schottky representa a energia necessária para a formação do defeito de Schottky.
Símbolo: Qs
Medição: EnergiaUnidade: eV
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Constante de gás universal
A constante universal de gás é uma constante física que aparece em uma equação que define o comportamento de um gás em condições teoricamente ideais. Sua unidade é joule * kelvin − 1 * mole − 1.
Símbolo: R
Medição: NAUnidade: Unitless
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Temperatura
Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.
Símbolo: T
Medição: TemperaturaUnidade: K
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
exp
Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente.
Sintaxe: exp(Number)

Outras fórmulas na categoria Cerâmica e Compósitos

​Ir Comprimento Crítico da Fibra
lc=σfd2τc
​Ir Módulo de material poroso de Young
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​Ir Módulo de Young do módulo de cisalhamento
E=2G(1+𝛎)
​Ir Módulo de Young do compósito na direção longitudinal
Ecl=Em(1-Vf)+EfVf

Como avaliar Concentração de Defeito Schottky?

O avaliador Concentração de Defeito Schottky usa Number of Schottky Defects = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura)) para avaliar Número de defeitos de Schottky, A concentração de defeitos de Schottky é o número de equilíbrio de defeitos de Schottkey por metro cúbico. Número de defeitos de Schottky é denotado pelo símbolo NS.

Como avaliar Concentração de Defeito Schottky usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Concentração de Defeito Schottky, insira Número de sítios atômicos (N), Energia de ativação para a formação Schottky (Qs), Constante de gás universal (R) & Temperatura (T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Concentração de Defeito Schottky

Qual é a fórmula para encontrar Concentração de Defeito Schottky?
A fórmula de Concentração de Defeito Schottky é expressa como Number of Schottky Defects = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura)). Aqui está um exemplo: 8E+28 = 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85)).
Como calcular Concentração de Defeito Schottky?
Com Número de sítios atômicos (N), Energia de ativação para a formação Schottky (Qs), Constante de gás universal (R) & Temperatura (T) podemos encontrar Concentração de Defeito Schottky usando a fórmula - Number of Schottky Defects = Número de sítios atômicos*exp(-Energia de ativação para a formação Schottky/(2*Constante de gás universal*Temperatura)). Esta fórmula também usa funções Crescimento Exponencial (exp).
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