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Fórmula Coeficiente de polarização do substrato

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O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET). Verifique FAQs

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

γ_s - Coeficiente de polarização do substrato?N_A - Concentração de Dopagem do Aceitante?C_ox - Capacitância de Óxido?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?

Exemplo de Coeficiente de polarização do substrato

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Coeficiente de polarização do substrato com valores.

Esta é a aparência da equação Coeficiente de polarização do substrato com unidades.

Esta é a aparência da equação Coeficiente de polarização do substrato.

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Coeficiente de polarização do substrato Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Coeficiente de polarização do substrato?

Primeiro passo Considere a fórmula

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³}}{3.9F}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6}}{3.9}

Próxima Etapa Avalie

∴

γ s = 5.70407834987726E-07

Último passo Resposta de arredondamento

∴

γ s = 5.7E-7

Coeficiente de polarização do substrato Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Funções

Coeficiente de polarização do substrato

O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).

Símbolo: γ_s

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Coeficiente de polarização do substrato

Concentração de Dopagem do Aceitante

A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

Símbolo: N_A

Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração de Dopagem do Aceitante

Capacitância de Óxido

Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Carga do elétron

A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Permissividade do silício

A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.

Símbolo: [Permitivity-silicon]

Valor: 11.7

sqrt

Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.

Sintaxe: sqrt(Number)

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Ir Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

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Como avaliar Coeficiente de polarização do substrato?

O avaliador Coeficiente de polarização do substrato usa Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido para avaliar Coeficiente de polarização do substrato, A fórmula do coeficiente de polarização do substrato é definida como um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET). Coeficiente de polarização do substrato é denotado pelo símbolo γ_s.

Como avaliar Coeficiente de polarização do substrato usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Coeficiente de polarização do substrato, insira Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) & Capacitância de Óxido (C_ox) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Coeficiente de polarização do substrato

Qual é a fórmula para encontrar Coeficiente de polarização do substrato?

A fórmula de Coeficiente de polarização do substrato é expressa como Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido. Aqui está um exemplo: 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.

Como calcular Coeficiente de polarização do substrato?

Com Concentração de Dopagem do Aceitante (N_A) & Capacitância de Óxido (C_ox) podemos encontrar Coeficiente de polarização do substrato usando a fórmula - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido. Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do silício constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).

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