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Fórmula Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

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A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta. Verifique FAQs

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Q_p - Cobrança da Camada de Inversão?C_ox - Capacitância de Óxido?V_GS - Tensão entre Gate e Source?V_T - Tensão de limiar?V_DS - Tensão entre Dreno e Fonte?

Exemplo de Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS.

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

0.0002C/m² = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Q p = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Q p = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Próxima Etapa Avalie

∴

Q p = 0.000232C/m²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Q p = 0.0002C/m²

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Cobrança da Camada de Inversão

A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.

Símbolo: Q_p

Medição: Densidade de Carga SuperficialUnidade: C/m²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Cobrança da Camada de Inversão

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Tensão entre Gate e Source

A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Source

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Tensão entre Dreno e Fonte

A tensão entre o dreno e a fonte é um parâmetro chave na operação de um transistor de efeito de campo (FET) e é frequentemente chamada de "tensão dreno-fonte" ou VDS.

Símbolo: V_DS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Dreno e Fonte

Outras fórmulas para encontrar Cobrança da Camada de Inversão

Ir Carga da Camada de Inversão em PMOS

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS?

O avaliador Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS usa Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte) para avaliar Cobrança da Camada de Inversão, A Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off na fórmula PMOS é definida como a carga da camada de inversão na condição pinch-off em um transistor PMOS é a quantidade de carga que se acumula na interface entre o substrato tipo p e a camada de óxido quando o O transistor está em seu estado desligado e determina a condutância do transistor quando ele é ligado. Cobrança da Camada de Inversão é denotado pelo símbolo Q_p.

Como avaliar Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS, insira Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS?

A fórmula de Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS é expressa como Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte). Aqui está um exemplo: 0.000232 = -0.0008*(2.86-0.7-2.45).

Como calcular Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS?

Com Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão entre Gate e Source (V_GS), Tensão de limiar (V_T) & Tensão entre Dreno e Fonte (V_DS) podemos encontrar Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS usando a fórmula - Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte).

Quais são as outras maneiras de calcular Cobrança da Camada de Inversão?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Cobrança da Camada de Inversão-

Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage)

O Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS pode ser negativo?

Sim, o Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS, medido em Densidade de Carga Superficial pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS?

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS geralmente é medido usando Coulomb por metro quadrado[C/m²] para Densidade de Carga Superficial. Coulomb por centímetro quadrado[C/m²], Coulomb por polegada quadrada[C/m²], Abcoulomb por metro quadrado[C/m²] são as poucas outras unidades nas quais Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS pode ser medido.

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FAQs sobre Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

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