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Fórmula Carga da Camada de Inversão em PMOS

IrCarga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS Fórmula

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A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta. Verifique FAQs

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

Q_p - Cobrança da Camada de Inversão?C_ox - Capacitância de Óxido?V_GS - Tensão entre Gate e Source?V_T - Tensão de limiar?

Exemplo de Carga da Camada de Inversão em PMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão em PMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão em PMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Carga da Camada de Inversão em PMOS.

-0.0017 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7)

-0.0017C/m² = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V)

-0.0017 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Carga da Camada de Inversão em PMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Carga da Camada de Inversão em PMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Q p = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Q p = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7)

Próxima Etapa Avalie

∴

Q p = -0.001728C/m²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Q p = -0.0017C/m²

Carga da Camada de Inversão em PMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Cobrança da Camada de Inversão

A carga da camada de inversão refere-se ao acúmulo de portadores de carga na interface entre o semicondutor e a camada de óxido isolante quando uma tensão é aplicada ao eletrodo de porta.

Símbolo: Q_p

Medição: Densidade de Carga SuperficialUnidade: C/m²

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Cobrança da Camada de Inversão

Capacitância de Óxido

A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho de dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia de circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Tensão entre Gate e Source

A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.

Símbolo: V_GS

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.

Fórmulas para encontrar Tensão entre Gate e Source

Tensão de limiar

A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

Símbolo: V_T

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão de limiar

Outras fórmulas para encontrar Cobrança da Camada de Inversão

Ir Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Outras fórmulas na categoria Aprimoramento do Canal P

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Ver mais

Como avaliar Carga da Camada de Inversão em PMOS?

O avaliador Carga da Camada de Inversão em PMOS usa Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar) para avaliar Cobrança da Camada de Inversão, A carga da camada de inversão na fórmula PMOS é definida como a carga da camada de inversão em um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico de canal p (PMOS) refere-se ao acúmulo de portadores carregados negativamente (elétrons) na interface entre o semicondutor tipo p substrato e a camada isolante (óxido) quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão. Cobrança da Camada de Inversão é denotado pelo símbolo Q_p.

Como avaliar Carga da Camada de Inversão em PMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Carga da Camada de Inversão em PMOS, insira Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão entre Gate e Source (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Carga da Camada de Inversão em PMOS

Qual é a fórmula para encontrar Carga da Camada de Inversão em PMOS?

A fórmula de Carga da Camada de Inversão em PMOS é expressa como Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar). Aqui está um exemplo: -0.001728 = -0.0008*(2.86-0.7).

Como calcular Carga da Camada de Inversão em PMOS?

Com Capacitância de Óxido (C_ox), Tensão entre Gate e Source (V_GS) & Tensão de limiar (V_T) podemos encontrar Carga da Camada de Inversão em PMOS usando a fórmula - Inversion Layer Charge = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar).

Quais são as outras maneiras de calcular Cobrança da Camada de Inversão?

Aqui estão as diferentes maneiras de calcular Cobrança da Camada de Inversão-

Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage-Voltage between Drain and Source)

O Carga da Camada de Inversão em PMOS pode ser negativo?

Sim, o Carga da Camada de Inversão em PMOS, medido em Densidade de Carga Superficial pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Carga da Camada de Inversão em PMOS?

Carga da Camada de Inversão em PMOS geralmente é medido usando Coulomb por metro quadrado[C/m²] para Densidade de Carga Superficial. Coulomb por centímetro quadrado[C/m²], Coulomb por polegada quadrada[C/m²], Abcoulomb por metro quadrado[C/m²] são as poucas outras unidades nas quais Carga da Camada de Inversão em PMOS pode ser medido.

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Como avaliar Carga da Camada de Inversão em PMOS?

FAQs sobre Carga da Camada de Inversão em PMOS

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