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Fórmula Capacitância efetiva em CMOS

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A capacitância efetiva no CMOS é definida como a razão entre a quantidade de carga elétrica armazenada em um condutor e a diferença no potencial elétrico. Verifique FAQs

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

C_eff - Capacitância Efetiva em CMOS?D - Ciclo de trabalho?i_off - Desatualizado?V_bc - Tensão do Coletor Base?N_g - Portões no Caminho Crítico?[BoltZ] - Constante de Boltzmann?

Exemplo de Capacitância efetiva em CMOS

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância efetiva em CMOS com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância efetiva em CMOS com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância efetiva em CMOS.

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

5.1379μF = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

5.1379 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Design e aplicações CMOS » fx Capacitância efetiva em CMOS

Capacitância efetiva em CMOS Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância efetiva em CMOS?

Primeiro passo Considere a fórmula

C eff = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{N g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

Próxima Etapa Valores substitutos de constantes

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Próxima Etapa Converter unidades

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.95 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

C eff = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.95 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Próxima Etapa Avalie

∴

C eff = 5.13789525162511E-06F

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

C eff = 5.13789525162511μF

Último passo Resposta de arredondamento

∴

C eff = 5.1379μF

Capacitância efetiva em CMOS Fórmula Elementos

Variáveis

Constantes

Capacitância Efetiva em CMOS

A capacitância efetiva no CMOS é definida como a razão entre a quantidade de carga elétrica armazenada em um condutor e a diferença no potencial elétrico.

Símbolo: C_eff

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância Efetiva em CMOS

Ciclo de trabalho

Um ciclo de trabalho ou ciclo de potência é a fração de um período em que um sinal ou sistema está ativo.

Símbolo: D

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Ciclo de trabalho

Desatualizado

A corrente desligada de um switch é um valor inexistente na realidade. Chaves reais normalmente têm uma corrente de desligamento muito pequena, que às vezes é chamada de corrente de fuga.

Símbolo: i_off

Medição: Corrente elétricaUnidade: mA

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Desatualizado

Tensão do Coletor Base

A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.

Símbolo: V_bc

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão do Coletor Base

Portões no Caminho Crítico

Portas no caminho crítico são definidas como o número total de portas lógicas necessárias durante um tempo de ciclo no CMOS.

Símbolo: N_g

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Portões no Caminho Crítico

Constante de Boltzmann

A constante de Boltzmann relaciona a energia cinética média das partículas em um gás com a temperatura do gás e é uma constante fundamental na mecânica estatística e na termodinâmica.

Símbolo: [BoltZ]

Valor: 1.38064852E-23 J/K

Outras fórmulas na categoria Características do circuito CMOS

Ir Tensão Crítica CMOS

V c = E c \cdot L

Ir CMOS significa caminho livre

L = \frac{V c}{E c}

Ir Largura da Difusão da Fonte

W = \frac{A s}{D s}

Ir Área de Difusão de Fonte

A s = D s \cdot W

Ver mais

Como avaliar Capacitância efetiva em CMOS?

O avaliador Capacitância efetiva em CMOS usa Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base) para avaliar Capacitância Efetiva em CMOS, A capacitância efetiva na fórmula CMOS é definida como a razão entre a quantidade de carga elétrica armazenada em um condutor e a diferença no potencial elétrico. Capacitância Efetiva em CMOS é denotado pelo símbolo C_eff.

Como avaliar Capacitância efetiva em CMOS usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância efetiva em CMOS, insira Ciclo de trabalho (D), Desatualizado (i_off), Tensão do Coletor Base (V_bc) & Portões no Caminho Crítico (N_g) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância efetiva em CMOS

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância efetiva em CMOS?

A fórmula de Capacitância efetiva em CMOS é expressa como Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base). Aqui está um exemplo: 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02).

Como calcular Capacitância efetiva em CMOS?

Com Ciclo de trabalho (D), Desatualizado (i_off), Tensão do Coletor Base (V_bc) & Portões no Caminho Crítico (N_g) podemos encontrar Capacitância efetiva em CMOS usando a fórmula - Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base). Esta fórmula também usa Constante de Boltzmann .

O Capacitância efetiva em CMOS pode ser negativo?

Não, o Capacitância efetiva em CMOS, medido em Capacitância não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Capacitância efetiva em CMOS?

Capacitância efetiva em CMOS geralmente é medido usando Microfarad[μF] para Capacitância. Farad[μF], Quilofarad[μF], Milifarad[μF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância efetiva em CMOS pode ser medido.

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