Fórmula Capacitância de porta intrínseca

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A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas. Verifique FAQs
Cmos=CgcsW
Cmos - Capacitância de sobreposição de porta MOS?Cgcs - Capacitância da Porta MOS?W - Largura da transição?

Exemplo de Capacitância de porta intrínseca

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância de porta intrínseca com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância de porta intrínseca com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância de porta intrínseca.

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Capacitância de porta intrínseca Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância de porta intrínseca?

Primeiro passo Considere a fórmula
Cmos=CgcsW
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Cmos=20.04μF89.82mm
Próxima Etapa Converter unidades
Cmos=2E-5F0.0898m
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Cmos=2E-50.0898
Próxima Etapa Avalie
Cmos=1.7999928E-06F
Próxima Etapa Converter para unidade de saída
Cmos=1.7999928μF
Último passo Resposta de arredondamento
Cmos=1.8μF

Capacitância de porta intrínseca Fórmula Elementos

Variáveis
Capacitância de sobreposição de porta MOS
A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.
Símbolo: Cmos
Medição: CapacitânciaUnidade: μF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância da Porta MOS
A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.
Símbolo: Cgcs
Medição: CapacitânciaUnidade: μF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Largura da transição
A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
Símbolo: W
Medição: ComprimentoUnidade: mm
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Otimização de materiais VLSI

​Ir Coeficiente de Efeito Corporal
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​Ir Carga do canal
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​Ir Tensão Crítica
Vx=ExEch
​Ir Coeficiente DIBL
η=Vt0-VtVds

Como avaliar Capacitância de porta intrínseca?

O avaliador Capacitância de porta intrínseca usa MOS Gate Overlap Capacitance = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição para avaliar Capacitância de sobreposição de porta MOS, A fórmula de capacitância de porta intrínseca nos BJTs vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas. Os transistores possuem capacitâncias internas que normalmente não são desejadas e agem para reduzir o ganho em altas frequências. Capacitância de sobreposição de porta MOS é denotado pelo símbolo Cmos.

Como avaliar Capacitância de porta intrínseca usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância de porta intrínseca, insira Capacitância da Porta MOS (Cgcs) & Largura da transição (W) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância de porta intrínseca

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância de porta intrínseca?
A fórmula de Capacitância de porta intrínseca é expressa como MOS Gate Overlap Capacitance = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição. Aqui está um exemplo: 1.8E+6 = 2.004E-05*0.08982.
Como calcular Capacitância de porta intrínseca?
Com Capacitância da Porta MOS (Cgcs) & Largura da transição (W) podemos encontrar Capacitância de porta intrínseca usando a fórmula - MOS Gate Overlap Capacitance = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição.
O Capacitância de porta intrínseca pode ser negativo?
Não, o Capacitância de porta intrínseca, medido em Capacitância não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Capacitância de porta intrínseca?
Capacitância de porta intrínseca geralmente é medido usando Microfarad[μF] para Capacitância. Farad[μF], Quilofarad[μF], Milifarad[μF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância de porta intrínseca pode ser medido.
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