Fórmula Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero

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O potencial de junção da parede lateral de polarização zero é o potencial embutido na junção da parede lateral de certas estruturas de transistor. Verifique FAQs
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
Cj0sw - Potencial de junção da parede lateral com polarização zero?NA(sw) - Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais?ND - Concentração de Doping do Doador?Φosw - Potencial integrado de junções de paredes laterais?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?[Charge-e] - Carga do elétron?

Exemplo de Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero.

1E-7Edit=11.71.6E-192(0.35Edit3.01Edit0.35Edit+3.01Edit)13.2E-5Edit
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Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero?

Primeiro passo Considere a fórmula
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
Próxima Etapa Valores substitutos de constantes
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
Próxima Etapa Converter unidades
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3E+6electrons/m³0.35electrons/m³+3E+6electrons/m³)13.2E-5V
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Cj0sw=11.71.6E-192(0.353E+60.35+3E+6)13.2E-5
Próxima Etapa Avalie
Cj0sw=1.01249324812588E-07F
Último passo Resposta de arredondamento
Cj0sw=1E-7F

Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero Fórmula Elementos

Variáveis
Constantes
Funções
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
O potencial de junção da parede lateral de polarização zero é o potencial embutido na junção da parede lateral de certas estruturas de transistor.
Símbolo: Cj0sw
Medição: CapacitânciaUnidade: F
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais
A densidade de dopagem da parede lateral refere-se à concentração de átomos dopantes ao longo das paredes laterais da estrutura do transistor.
Símbolo: NA(sw)
Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Concentração de Doping do Doador
A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Símbolo: ND
Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/cm³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Potencial integrado de junções de paredes laterais
Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.
Símbolo: Φosw
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Permissividade do silício
A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.
Símbolo: [Permitivity-silicon]
Valor: 11.7
Carga do elétron
A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
sqrt
Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.
Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Amplificadores MOSFET

​Ir Capacitância de junção de polarização zero
Cj0=εsi[Charge-e]2(NANDNA+ND)1Φo

Como avaliar Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero?

O avaliador Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero usa Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais) para avaliar Potencial de junção da parede lateral com polarização zero, A fórmula de capacitância de junção de parede lateral de polarização zero é definida como o potencial embutido na junção de parede lateral de certas estruturas de transistor. Potencial de junção da parede lateral com polarização zero é denotado pelo símbolo Cj0sw.

Como avaliar Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero, insira Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais (NA(sw)), Concentração de Doping do Doador (ND) & Potencial integrado de junções de paredes laterais osw) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero?
A fórmula de Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero é expressa como Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais). Aqui está um exemplo: 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).
Como calcular Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero?
Com Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais (NA(sw)), Concentração de Doping do Doador (ND) & Potencial integrado de junções de paredes laterais osw) podemos encontrar Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero usando a fórmula - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais). Esta fórmula também usa funções Permissividade do silício, Carga do elétron constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).
O Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero pode ser negativo?
Não, o Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero, medido em Capacitância não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero?
Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero geralmente é medido usando Farad[F] para Capacitância. Quilofarad[F], Milifarad[F], Microfarad[F] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero pode ser medido.
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