Fórmula Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata

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A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas. Verifique FAQs
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Cload - Capacitância de carga CMOS do inversor?Cgd,p - Capacitância de drenagem da porta PMOS?Cgd,n - Capacitância de drenagem da porta NMOS?Cdb,p - Capacitância em massa de drenagem PMOS?Cdb,n - Capacitância em massa de drenagem NMOS?Cin - Capacitância interna do CMOS do inversor?Cg - Capacitância da porta CMOS do inversor?

Exemplo de Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata.

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Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata?

Primeiro passo Considere a fórmula
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Cload=0.15fF+0.1fF+0.25fF+0.2fF+0.05fF+0.18fF
Próxima Etapa Converter unidades
Cload=1.5E-16F+1E-16F+2.5E-16F+2E-16F+5E-17F+1.8E-16F
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Cload=1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16
Próxima Etapa Avalie
Cload=9.3E-16F
Último passo Converter para unidade de saída
Cload=0.93fF

Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata Fórmula Elementos

Variáveis
Capacitância de carga CMOS do inversor
A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas.
Símbolo: Cload
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância de drenagem da porta PMOS
A capacitância de drenagem da porta PMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor PMOS, impactando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Símbolo: Cgd,p
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância de drenagem da porta NMOS
A capacitância de drenagem da porta NMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor NMOS, influenciando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Símbolo: Cgd,n
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância em massa de drenagem PMOS
A capacitância de dreno PMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o substrato de um transistor PMOS, influenciando seu comportamento em diversas aplicações de circuito.
Símbolo: Cdb,p
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância em massa de drenagem NMOS
A capacitância de dreno NMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o volume (substrato) de um transistor NMOS, impactando suas características de comutação e desempenho geral.
Símbolo: Cdb,n
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância interna do CMOS do inversor
A capacitância interna do CMOS do inversor refere-se às capacitâncias parasitas dentro de um inversor CMOS, incluindo capacitâncias de junção e sobreposição, afetando sua velocidade de comutação e consumo de energia.
Símbolo: Cin
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância da porta CMOS do inversor
A capacitância da porta CMOS do inversor é a capacitância total no terminal da porta de um inversor CMOS, impactando a velocidade de comutação e o consumo de energia, consistindo de porta-fonte.
Símbolo: Cg
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.

Outras fórmulas na categoria Inversores CMOS

​Ir Margem de ruído para CMOS de alto sinal
NMH=VOH-VIH
​Ir Tensão máxima de entrada para CMOS simétrico
VIL(sym)=3VDD+2VT0,n8

Como avaliar Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata?

O avaliador Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata usa Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor para avaliar Capacitância de carga CMOS do inversor, A capacitância de carga do inversor CMOS em cascata refere-se à capacitância total na saída de vários inversores CMOS interconectados, incluindo a soma das capacitâncias parasitas e intencionais, influenciando a velocidade de comutação do circuito, o consumo de energia e o desempenho geral. Capacitância de carga CMOS do inversor é denotado pelo símbolo Cload.

Como avaliar Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata, insira Capacitância de drenagem da porta PMOS (Cgd,p), Capacitância de drenagem da porta NMOS (Cgd,n), Capacitância em massa de drenagem PMOS (Cdb,p), Capacitância em massa de drenagem NMOS (Cdb,n), Capacitância interna do CMOS do inversor (Cin) & Capacitância da porta CMOS do inversor (Cg) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata?
A fórmula de Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata é expressa como Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor. Aqui está um exemplo: 9.3E+14 = 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16.
Como calcular Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata?
Com Capacitância de drenagem da porta PMOS (Cgd,p), Capacitância de drenagem da porta NMOS (Cgd,n), Capacitância em massa de drenagem PMOS (Cdb,p), Capacitância em massa de drenagem NMOS (Cdb,n), Capacitância interna do CMOS do inversor (Cin) & Capacitância da porta CMOS do inversor (Cg) podemos encontrar Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata usando a fórmula - Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitância de drenagem da porta PMOS+Capacitância de drenagem da porta NMOS+Capacitância em massa de drenagem PMOS+Capacitância em massa de drenagem NMOS+Capacitância interna do CMOS do inversor+Capacitância da porta CMOS do inversor.
O Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata pode ser negativo?
Não, o Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata, medido em Capacitância não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata?
Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata geralmente é medido usando FemtoFarad[fF] para Capacitância. Farad[fF], Quilofarad[fF], Milifarad[fF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância de carga do inversor CMOS em cascata pode ser medido.
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