Capacitância de carga CMOS do inversor
A capacitância de carga CMOS do inversor é a capacitância acionada pela saída de um inversor CMOS, incluindo fiação, capacitâncias de entrada de portas conectadas e capacitâncias parasitas.
Símbolo: Cload
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância de drenagem da porta PMOS
A capacitância de drenagem da porta PMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor PMOS, impactando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Símbolo: Cgd,p
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância de drenagem da porta NMOS
A capacitância de drenagem da porta NMOS é a capacitância entre os terminais de porta e dreno de um transistor NMOS, influenciando sua velocidade de comutação e consumo de energia em aplicações de circuitos digitais.
Símbolo: Cgd,n
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância em massa de drenagem PMOS
A capacitância de dreno PMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o substrato de um transistor PMOS, influenciando seu comportamento em diversas aplicações de circuito.
Símbolo: Cdb,p
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância em massa de drenagem NMOS
A capacitância de dreno NMOS refere-se à capacitância entre o terminal de dreno e o volume (substrato) de um transistor NMOS, impactando suas características de comutação e desempenho geral.
Símbolo: Cdb,n
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância interna do CMOS do inversor
A capacitância interna do CMOS do inversor refere-se às capacitâncias parasitas dentro de um inversor CMOS, incluindo capacitâncias de junção e sobreposição, afetando sua velocidade de comutação e consumo de energia.
Símbolo: Cin
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Capacitância da porta CMOS do inversor
A capacitância da porta CMOS do inversor é a capacitância total no terminal da porta de um inversor CMOS, impactando a velocidade de comutação e o consumo de energia, consistindo de porta-fonte.
Símbolo: Cg
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.