Fórmula Capacitância da Junção PN

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Capacitância de junção refere-se à capacitância associada à junção pn formada entre duas regiões semicondutoras em um dispositivo semicondutor, como um diodo ou transistor. Verifique FAQs
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Cj - Capacitância de Junção?Apn - Área de Junção PN?εr - Permissividade Relativa?V0 - Tensão na junção PN?V - Tensão de polarização reversa?NA - Concentração do aceitante?ND - Concentração de Doadores?[Charge-e] - Carga do elétron?[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício?

Exemplo de Capacitância da Junção PN

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância da Junção PN com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância da Junção PN com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância da Junção PN.

1.9E+6Edit=4.8Edit221.6E-1978Edit11.70.6Edit-(-4Edit)(1E+22Edit1E+24Edit1E+22Edit+1E+24Edit)
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Capacitância da Junção PN Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância da Junção PN?

Primeiro passo Considere a fórmula
Cj=Apn22[Charge-e]εr[Permitivity-silicon]V0-(V)(NANDNA+ND)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Cj=4.8µm²22[Charge-e]78F/m[Permitivity-silicon]0.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Próxima Etapa Valores substitutos de constantes
Cj=4.8µm²221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Próxima Etapa Converter unidades
Cj=4.8E-12221.6E-19C78F/m11.70.6V-(-4V)(1E+221/m³1E+241/m³1E+221/m³+1E+241/m³)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Cj=4.8E-12221.6E-197811.70.6-(-4)(1E+221E+241E+22+1E+24)
Próxima Etapa Avalie
Cj=1.9040662888657E-09F
Próxima Etapa Converter para unidade de saída
Cj=1904066.2888657fF
Último passo Resposta de arredondamento
Cj=1.9E+6fF

Capacitância da Junção PN Fórmula Elementos

Variáveis
Constantes
Funções
Capacitância de Junção
Capacitância de junção refere-se à capacitância associada à junção pn formada entre duas regiões semicondutoras em um dispositivo semicondutor, como um diodo ou transistor.
Símbolo: Cj
Medição: CapacitânciaUnidade: fF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Área de Junção PN
A área de junção PN é o limite ou área de interface entre dois tipos de materiais semicondutores em um diodo pn.
Símbolo: Apn
Medição: ÁreaUnidade: µm²
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Permissividade Relativa
A permissividade relativa é uma medida da capacidade de um material de armazenar energia elétrica em um campo elétrico.
Símbolo: εr
Medição: permissividadeUnidade: F/m
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Tensão na junção PN
A tensão na junção PN é o potencial incorporado na junção pn de um semicondutor sem qualquer polarização externa.
Símbolo: V0
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve estar entre 0.3 e 0.8.
Tensão de polarização reversa
Tensão de polarização reversa é a tensão externa negativa aplicada à junção pn.
Símbolo: V
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser menor que 0.
Concentração do aceitante
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Símbolo: NA
Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Concentração de Doadores
Concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Símbolo: ND
Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/m³
Observação: O valor pode ser positivo ou negativo.
Carga do elétron
A carga do elétron é uma constante física fundamental, representando a carga elétrica transportada por um elétron, que é a partícula elementar com carga elétrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
Permissividade do silício
A permissividade do silício mede sua capacidade de armazenar energia elétrica em um campo elétrico, vital na tecnologia de semicondutores.
Símbolo: [Permitivity-silicon]
Valor: 11.7
sqrt
Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.
Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Dispositivos com componentes ópticos

​Ir Ângulo de Rotação do Plano de Polarização
θ=1.8BLm
​Ir Ângulo Apex
A=tan(α)

Como avaliar Capacitância da Junção PN?

O avaliador Capacitância da Junção PN usa Junction Capacitance = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores))) para avaliar Capacitância de Junção, A fórmula da capacitância da junção PN é definida como a capacitância associada à região de depleção de uma junção pn devido às cargas acumuladas. É proeminente na condição de polarização reversa porque esta condição aumenta o potencial da barreira e, portanto, a capacitância através dela. Capacitância de Junção é denotado pelo símbolo Cj.

Como avaliar Capacitância da Junção PN usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância da Junção PN, insira Área de Junção PN (Apn), Permissividade Relativa r), Tensão na junção PN (V0), Tensão de polarização reversa (V), Concentração do aceitante (NA) & Concentração de Doadores (ND) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância da Junção PN

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância da Junção PN?
A fórmula de Capacitância da Junção PN é expressa como Junction Capacitance = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores))). Aqui está um exemplo: 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).
Como calcular Capacitância da Junção PN?
Com Área de Junção PN (Apn), Permissividade Relativa r), Tensão na junção PN (V0), Tensão de polarização reversa (V), Concentração do aceitante (NA) & Concentração de Doadores (ND) podemos encontrar Capacitância da Junção PN usando a fórmula - Junction Capacitance = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores))). Esta fórmula também usa funções Carga do elétron, Permissividade do silício constante(s) e Raiz quadrada (sqrt).
O Capacitância da Junção PN pode ser negativo?
Não, o Capacitância da Junção PN, medido em Capacitância não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Capacitância da Junção PN?
Capacitância da Junção PN geralmente é medido usando FemtoFarad[fF] para Capacitância. Farad[fF], Quilofarad[fF], Milifarad[fF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância da Junção PN pode ser medido.
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