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Fórmula Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

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A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET). Verifique FAQs

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

C_gs - Capacitância da Fonte da Porta?W_t - Largura do transistor?L_t - Comprimento do transistor?C_ox - Capacitância de Óxido?C_ov - Capacitância de sobreposição?

Exemplo de Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição.

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

13.75μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição?

Primeiro passo Considere a fórmula

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

Próxima Etapa Converter unidades

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6m \cdot 3.2E-6m \cdot 3.9F) + (5.5E-6m \cdot 2.5F)

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6 \cdot 3.2E-6 \cdot 3.9) + (5.5E-6 \cdot 2.5)

Próxima Etapa Avalie

∴

C gs = 1.375004576E-05F

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

C gs = 13.75004576μF

Último passo Resposta de arredondamento

∴

C gs = 13.75μF

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição Fórmula Elementos

Variáveis

Capacitância da Fonte da Porta

A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).

Símbolo: C_gs

Medição: CapacitânciaUnidade: μF

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância da Fonte da Porta

Largura do transistor

A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: W_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Largura do transistor

Comprimento do transistor

O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.

Símbolo: L_t

Medição: ComprimentoUnidade: μm

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Comprimento do transistor

Capacitância de Óxido

Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.

Símbolo: C_ox

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de Óxido

Capacitância de sobreposição

A capacitância de sobreposição é uma capacitância parasita que surge devido à sobreposição física entre a porta e as regiões de fonte/dreno.

Símbolo: C_ov

Medição: CapacitânciaUnidade: F

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitância de sobreposição

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Como avaliar Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição?

O avaliador Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição usa Gate Source Capacitance = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição) para avaliar Capacitância da Fonte da Porta, A fórmula da capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição é definida como a capacitância entre os terminais da porta e da fonte. Capacitância da Fonte da Porta é denotado pelo símbolo C_gs.

Como avaliar Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição, insira Largura do transistor (W_t), Comprimento do transistor (L_t), Capacitância de Óxido (C_ox) & Capacitância de sobreposição (C_ov) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição?

A fórmula de Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição é expressa como Gate Source Capacitance = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição). Aqui está um exemplo: 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).

Como calcular Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição?

Com Largura do transistor (W_t), Comprimento do transistor (L_t), Capacitância de Óxido (C_ox) & Capacitância de sobreposição (C_ov) podemos encontrar Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição usando a fórmula - Gate Source Capacitance = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição).

O Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição pode ser negativo?

Não, o Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição, medido em Capacitância não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição?

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição geralmente é medido usando Microfarad[μF] para Capacitância. Farad[μF], Quilofarad[μF], Milifarad[μF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição pode ser medido.

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