Fórmula Capacitância Base do Coletor

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A capacitância da base do coletor é simplesmente a capacitância da junção da base do coletor, incluindo a parte inferior plana da junção e as paredes laterais. Verifique FAQs
Ccb=AqεNb2(ψo+Vrb)
Ccb - Capacitância Base do Coletor?A - Área de junção da base do emissor?q - Cobrar?ε - Permissividade?Nb - Densidade de dopagem?ψo - Potencial integrado?Vrb - Junção de polarização reversa?

Exemplo de Capacitância Base do Coletor

Com valores
Com unidades
Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Capacitância Base do Coletor com valores.

Esta é a aparência da equação Capacitância Base do Coletor com unidades.

Esta é a aparência da equação Capacitância Base do Coletor.

138.6693Edit=1.75Edit5Edit71Edit26Edit2(4.8Edit+2.55Edit)
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Capacitância Base do Coletor Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Capacitância Base do Coletor?

Primeiro passo Considere a fórmula
Ccb=AqεNb2(ψo+Vrb)
Próxima Etapa Substituir valores de variáveis
Ccb=1.75cm²5mC71F/m26electrons/m³2(4.8V+2.55A)
Próxima Etapa Converter unidades
Ccb=0.00020.005C71F/m26electrons/m³2(4.8V+2.55A)
Próxima Etapa Prepare-se para avaliar
Ccb=0.00020.00571262(4.8+2.55)
Próxima Etapa Avalie
Ccb=0.000138669270808881F
Próxima Etapa Converter para unidade de saída
Ccb=138.669270808881μF
Último passo Resposta de arredondamento
Ccb=138.6693μF

Capacitância Base do Coletor Fórmula Elementos

Variáveis
Funções
Capacitância Base do Coletor
A capacitância da base do coletor é simplesmente a capacitância da junção da base do coletor, incluindo a parte inferior plana da junção e as paredes laterais.
Símbolo: Ccb
Medição: CapacitânciaUnidade: μF
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Área de junção da base do emissor
A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Símbolo: A
Medição: ÁreaUnidade: cm²
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Cobrar
Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Símbolo: q
Medição: Carga elétricaUnidade: mC
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Permissividade
A permissividade é uma propriedade física que descreve quanta resistência um material oferece à formação de um campo elétrico em seu interior.
Símbolo: ε
Medição: permissividadeUnidade: F/m
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Densidade de dopagem
Densidade de dopagem é um processo no qual certos átomos de impureza, como fósforo ou boro, são introduzidos no semicondutor para alterar suas propriedades elétricas.
Símbolo: Nb
Medição: Densidade EletrônicaUnidade: electrons/m³
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Potencial integrado
O Potencial Construído afeta o tamanho da região de depleção, que por sua vez influencia a capacitância da junção.
Símbolo: ψo
Medição: Potencial elétricoUnidade: V
Observação: O valor deve ser maior que 0.
Junção de polarização reversa
Junção de polarização reversa refere-se à condição em um dispositivo semicondutor, onde a tensão aplicada através da junção se opõe ao fluxo normal de corrente através do dispositivo.
Símbolo: Vrb
Medição: Corrente elétricaUnidade: A
Observação: O valor deve ser maior que 0.
sqrt
Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido.
Sintaxe: sqrt(Number)

Outras fórmulas na categoria Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência

​Ir Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT
Qn=𝛕FIc
​Ir Capacitância de difusão de pequenos sinais
Ceb=𝛕FGm

Como avaliar Capacitância Base do Coletor?

O avaliador Capacitância Base do Coletor usa Collector Base Capacitance = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa))) para avaliar Capacitância Base do Coletor, A fórmula de capacitância coletor-base é definida em um transistor de junção bipolar (BJT) e refere-se à capacitância entre o coletor e os terminais de base do transistor. Essa capacitância surge devido à região de depleção e ao armazenamento de carga dentro do transistor. Capacitância Base do Coletor é denotado pelo símbolo Ccb.

Como avaliar Capacitância Base do Coletor usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Capacitância Base do Coletor, insira Área de junção da base do emissor (A), Cobrar (q), Permissividade (ε), Densidade de dopagem (Nb), Potencial integrado o) & Junção de polarização reversa (Vrb) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Capacitância Base do Coletor

Qual é a fórmula para encontrar Capacitância Base do Coletor?
A fórmula de Capacitância Base do Coletor é expressa como Collector Base Capacitance = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa))). Aqui está um exemplo: 1.4E+8 = 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55))).
Como calcular Capacitância Base do Coletor?
Com Área de junção da base do emissor (A), Cobrar (q), Permissividade (ε), Densidade de dopagem (Nb), Potencial integrado o) & Junção de polarização reversa (Vrb) podemos encontrar Capacitância Base do Coletor usando a fórmula - Collector Base Capacitance = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa))). Esta fórmula também usa funções Raiz quadrada (sqrt).
O Capacitância Base do Coletor pode ser negativo?
Não, o Capacitância Base do Coletor, medido em Capacitância não pode ser negativo.
Qual unidade é usada para medir Capacitância Base do Coletor?
Capacitância Base do Coletor geralmente é medido usando Microfarad[μF] para Capacitância. Farad[μF], Quilofarad[μF], Milifarad[μF] são as poucas outras unidades nas quais Capacitância Base do Coletor pode ser medido.
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