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Fórmula Átomos de Impureza por Unidade de Área

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A Impureza Total define as impurezas que são misturadas em átomo por unidade de área em uma base ou a quantidade de impureza adicionada a um semicondutor intrínseco varia seu nível de condutividade. Verifique FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Impureza total?D_n - Difusão Eficaz?A - Área de junção da base do emissor?q - Cobrar?n_i - Concentração Intrínseca?I_c - Corrente do coletor?V_be - Emissor de base de tensão?V_t - Tensão Térmica?

Exemplo de Átomos de Impureza por Unidade de Área

Com valores

Com unidades

Apenas exemplo

Esta é a aparência da equação Átomos de Impureza por Unidade de Área com valores.

Esta é a aparência da equação Átomos de Impureza por Unidade de Área com unidades.

Esta é a aparência da equação Átomos de Impureza por Unidade de Área.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Dica: Use o ícone de lápis ( Pencil

) acima para editar valores de entrada e unidades.

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Circuitos Integrados (CI) » fx Átomos de Impureza por Unidade de Área

Átomos de Impureza por Unidade de Área Solução

Siga nossa solução passo a passo sobre como calcular Átomos de Impureza por Unidade de Área?

Primeiro passo Considere a fórmula

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Próxima Etapa Substituir valores de variáveis

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Próxima Etapa Converter unidades

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Próxima Etapa Prepare-se para avaliar

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Próxima Etapa Avalie

∴

Q b = 363831.258671893m²

Próxima Etapa Converter para unidade de saída

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Último passo Resposta de arredondamento

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Átomos de Impureza por Unidade de Área Fórmula Elementos

Variáveis

Funções

Impureza total

Símbolo: Q_b

Medição: ÁreaUnidade: cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Impureza total

Difusão Eficaz

A difusão efetiva é um parâmetro relacionado ao processo de difusão dos portadores e é influenciada pelas propriedades do material e pela geometria da junção semicondutora.

Símbolo: D_n

Medição: NAUnidade: Unitless

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Difusão Eficaz

Área de junção da base do emissor

A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.

Símbolo: A

Medição: ÁreaUnidade: cm²

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Área de junção da base do emissor

Cobrar

Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.

Símbolo: q

Medição: Carga elétricaUnidade: mC

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Cobrar

Concentração Intrínseca

Concentração Intrínseca é o número de elétrons na banda de condução ou o número de lacunas na banda de valência no material intrínseco.

Símbolo: n_i

Medição: Concentração de PortadoresUnidade: 1/cm³

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Concentração Intrínseca

Corrente do coletor

Corrente de coletor é a corrente que flui através do terminal coletor do transistor e é a corrente que está sendo amplificada pelo transistor.

Símbolo: I_c

Medição: Corrente elétricaUnidade: A

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Corrente do coletor

Emissor de base de tensão

Tensão Base Emissor é a tensão entre a base e o emissor quando polarizado diretamente, com o coletor desconectado.

Símbolo: V_be

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Emissor de base de tensão

Tensão Térmica

Tensão Térmica são as tensões criadas pela junção de metais diferentes quando existe uma diferença de temperatura entre essas junções.

Símbolo: V_t

Medição: Potencial elétricoUnidade: V

Observação: O valor deve ser maior que 0.

Fórmulas para encontrar Tensão Térmica

exp

Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança de unidade na variável independente.

Sintaxe: exp(Number)

Outras fórmulas na categoria Fabricação de CI bipolar

Ir Impureza com Concentração Intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Condutividade ôhmica da impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ver mais

Como avaliar Átomos de Impureza por Unidade de Área?

O avaliador Átomos de Impureza por Unidade de Área usa Total Impurity = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica)) para avaliar Impureza total, A fórmula de átomos de impureza por unidade de área é definida como a quantidade de impureza, ou dopante, adicionada a um semicondutor intrínseco (puro) que varia seu nível de condutividade. Impureza total é denotado pelo símbolo Q_b.

Como avaliar Átomos de Impureza por Unidade de Área usando este avaliador online? Para usar este avaliador online para Átomos de Impureza por Unidade de Área, insira Difusão Eficaz (D_n), Área de junção da base do emissor (A), Cobrar (q), Concentração Intrínseca (n_i), Corrente do coletor (I_c), Emissor de base de tensão (V_be) & Tensão Térmica (V_t) e clique no botão calcular.

FAQs sobre Átomos de Impureza por Unidade de Área

Qual é a fórmula para encontrar Átomos de Impureza por Unidade de Área?

A fórmula de Átomos de Impureza por Unidade de Área é expressa como Total Impurity = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica)). Aqui está um exemplo: 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Como calcular Átomos de Impureza por Unidade de Área?

Com Difusão Eficaz (D_n), Área de junção da base do emissor (A), Cobrar (q), Concentração Intrínseca (n_i), Corrente do coletor (I_c), Emissor de base de tensão (V_be) & Tensão Térmica (V_t) podemos encontrar Átomos de Impureza por Unidade de Área usando a fórmula - Total Impurity = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica)). Esta fórmula também usa funções Crescimento Exponencial (exp).

O Átomos de Impureza por Unidade de Área pode ser negativo?

Não, o Átomos de Impureza por Unidade de Área, medido em Área não pode ser negativo.

Qual unidade é usada para medir Átomos de Impureza por Unidade de Área?

Átomos de Impureza por Unidade de Área geralmente é medido usando Praça centímetro[cm²] para Área. Metro quadrado[cm²], square Kilometre[cm²], Milimetros Quadrados[cm²] são as poucas outras unidades nas quais Átomos de Impureza por Unidade de Área pode ser medido.

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