FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Formuła

IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła. Sprawdź FAQs

R d = R 2 + 2 \cdot R fi + 2 \cdot R fi \cdot g mp \cdot R 2

R_d - Odporność na drenaż?R₂ - Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym?R_fi - Skończony opór?g_mp - Transkonduktancja pierwotna MOSFET?

Przykład Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego wygląda jak.

0.3585 = 0.064 + 2 \cdot 0.065 + 2 \cdot 0.065 \cdot 19.77 \cdot 0.064

0.3585kΩ = 0.064kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ \cdot 19.77mS \cdot 0.064kΩ

0.3585 = 0.064 + 2 \cdot 0.065 + 2 \cdot 0.065 \cdot 19.77 \cdot 0.064

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Wzmacniacze » fx Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

Pierwszy krok Rozważ formułę

R d = R 2 + 2 \cdot R fi + 2 \cdot R fi \cdot g mp \cdot R 2

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

R d = 0.064kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ + 2 \cdot 0.065kΩ \cdot 19.77mS \cdot 0.064kΩ

Następny krok Konwersja jednostek

∴

R d = 64Ω + 2 \cdot 65Ω + 2 \cdot 65Ω \cdot 0.0198S \cdot 64Ω

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

R d = 64 + 2 \cdot 65 + 2 \cdot 65 \cdot 0.0198 \cdot 64

Następny krok Oceniać

∴

R d = 358.4864Ω

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

R d = 0.3584864kΩ

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

R d = 0.3585kΩ

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Formuła Elementy

Zmienne

Odporność na drenaż

Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.

Symbol: R_d

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Odporność na drenaż

Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Opór uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym MOSFET-u jest oporem wobec przepływającego przez niego prądu. Zależy to od konkretnej konstrukcji MOSFET i warunków pracy.

Symbol: R₂

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Skończony opór

Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.

Symbol: R_fi

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Skończony opór

Transkonduktancja pierwotna MOSFET

Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.

Symbol: g_mp

Pomiar: TranskonduktancjaJednostka: mS

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Transkonduktancja pierwotna MOSFET

Inne formuły do znalezienia Odporność na drenaż

Iść Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

R d = R out + R so + (g mp \cdot R out \cdot R so)

Iść Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

R d = R out + (g mp \cdot R out) \cdot (\frac{1}{R e} + \frac{1}{R sm})

Inne formuły w kategorii Wspólny wzmacniacz źródłowy

Iść Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

i e = \frac{V in}{R e}

Iść Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

V fc = R in \cdot i b

Iść Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Z in = {(\frac{1}{R e} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

Iść Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

R in = {(\frac{1}{R b} + \frac{1}{R b2} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

Ewaluator Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego używa Drain Resistance = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym do oceny Odporność na drenaż, Rezystancja wyjściowa na innym drenażu kontrolowanego wzoru tranzystora źródłowego jest definiowana jako po prostu równoległa kombinacja rezystora emitera (źródła) RL i rezystancji emitera (źródła) małego sygnału tranzystora r. Odporność na drenaż jest oznaczona symbolem R_d.

Jak ocenić Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego, wpisz Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym (R₂), Skończony opór (R_fi) & Transkonduktancja pierwotna MOSFET (g_mp) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Jaki jest wzór na znalezienie Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

Formuła Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego jest wyrażona jako Drain Resistance = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym. Oto przykład: 0.000358 = 64+2*65+2*65*0.01977*64.

Jak obliczyć Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

Dzięki Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym (R₂), Skończony opór (R_fi) & Transkonduktancja pierwotna MOSFET (g_mp) możemy znaleźć Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego za pomocą formuły - Drain Resistance = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym.

Jakie są inne sposoby obliczenia Odporność na drenaż?

Oto różne sposoby obliczania Odporność na drenaż-

Drain Resistance=Finite Output Resistance+Source Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance*Source Resistance)
Drain Resistance=Finite Output Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance)*(1/Emitter Resistance+1/Small Signal Input Resistance)

Czy Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego może być ujemna?

NIE, Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego zmierzona w Odporność elektryczna Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

Wartość Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Kilohm[kΩ] dla wartości Odporność elektryczna. Om[kΩ], Megaom[kΩ], Mikroom[kΩ] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

​IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Formuła

​IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Formuła

Przykład Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Rozwiązanie

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Formuła Elementy

Inne formuły do znalezienia Odporność na drenaż

Inne formuły w kategorii Wspólny wzmacniacz źródłowy

Jak ocenić Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego?

FAQs NA Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Variable Name

IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła Formuła

IśćRezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem Formuła