FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Rezystancja kanału

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Sprawdź FAQs

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

R_ch - Rezystancja kanału?L_t - Długość tranzystora?W_t - Szerokość tranzystora?μ_n - Mobilność elektronów?Q_on - Gęstość nośnika?

Przykład Rezystancja kanału

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Rezystancja kanału wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Rezystancja kanału wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Rezystancja kanału wygląda jak.

3.4632 = \frac{3.2}{5.5} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

3.4632Ω = \frac{3.2μm}{5.5μm} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

3.4632 = \frac{3.2}{5.5} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Układy scalone (IC) » fx Rezystancja kanału

Rezystancja kanału Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Rezystancja kanału?

Pierwszy krok Rozważ formułę

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

R ch = \frac{3.2μm}{5.5μm} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

R ch = \frac{3.2E-6m}{5.5E-6m} \cdot \frac{1}{30m²/V*s \cdot 0.0056electrons/m³}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

R ch = \frac{3.2E-6}{5.5E-6} \cdot \frac{1}{30 \cdot 0.0056}

Następny krok Oceniać

∴

R ch = 3.46320346320346Ω

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

R ch = 3.4632Ω

Rezystancja kanału Formuła Elementy

Zmienne

Rezystancja kanału

Rezystancja kanału odnosi się do rezystancji oferowanej przez materiał półprzewodnikowy w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

Symbol: R_ch

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: Ω

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Rezystancja kanału

Długość tranzystora

Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.

Symbol: L_t

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Długość tranzystora

Szerokość tranzystora

Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.

Symbol: W_t

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Szerokość tranzystora

Mobilność elektronów

Mobilność elektronów opisuje, jak szybko elektrony mogą przemieszczać się przez materiał w odpowiedzi na pole elektryczne.

Symbol: μ_n

Pomiar: MobilnośćJednostka: m²/V*s

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Mobilność elektronów

Gęstość nośnika

Gęstość nośnika odnosi się do liczby nośników ładunku (elektronów lub dziur) obecnych w kanale półprzewodnikowym.

Symbol: Q_on

Pomiar: Gęstość elektronówJednostka: electrons/m³

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Gęstość nośnika

Inne formuły w kategorii Produkcja układów scalonych MOS

Iść Efekt ciała w MOSFET-ie

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Iść Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Iść Czas propagacji

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Rezystancja kanału?

Ewaluator Rezystancja kanału używa Channel Resistance = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika) do oceny Rezystancja kanału, Wzór na rezystancję kanału definiuje się jako rezystancję materiału półprzewodnikowego w kanale, przez który przepływa prąd pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Rezystancja kanału jest oznaczona symbolem R_ch.

Jak ocenić Rezystancja kanału za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Rezystancja kanału, wpisz Długość tranzystora (L_t), Szerokość tranzystora (W_t), Mobilność elektronów (μ_n) & Gęstość nośnika (Q_on) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Rezystancja kanału

Jaki jest wzór na znalezienie Rezystancja kanału?

Formuła Rezystancja kanału jest wyrażona jako Channel Resistance = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika). Oto przykład: 3.463203 = 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056).

Jak obliczyć Rezystancja kanału?

Dzięki Długość tranzystora (L_t), Szerokość tranzystora (W_t), Mobilność elektronów (μ_n) & Gęstość nośnika (Q_on) możemy znaleźć Rezystancja kanału za pomocą formuły - Channel Resistance = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika).

Czy Rezystancja kanału może być ujemna?

NIE, Rezystancja kanału zmierzona w Odporność elektryczna Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Rezystancja kanału?

Wartość Rezystancja kanału jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Om[Ω] dla wartości Odporność elektryczna. Megaom[Ω], Mikroom[Ω], Wolt na Amper[Ω] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Rezystancja kanału.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Rezystancja kanału

Przykład Rezystancja kanału

Rezystancja kanału Rozwiązanie

Rezystancja kanału Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Produkcja układów scalonych MOS

Jak ocenić Rezystancja kanału?

FAQs NA Rezystancja kanału

Variable Name