FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

IśćPrąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła

IśćOpróżnij prąd w linii ładunkowej Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych. Sprawdź FAQs

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

i_d - Prąd spustowy?k'_p - Transkonduktancja procesowa w PMOS?WL - Współczynnik proporcji?V_gs - Napięcie bramka-źródło?V_th - Próg napięcia?

Przykład Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET wygląda jak.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

Pierwszy krok Rozważ formułę

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Następny krok Oceniać

∴

i d = 8.381E-05A

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

i d = 0.08381mA

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

i d = 0.0838mA

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Formuła Elementy

Zmienne

Prąd spustowy

Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.

Symbol: i_d

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Prąd spustowy

Transkonduktancja procesowa w PMOS

Transkonduktancja procesu w PMOS odnosi się do wzmocnienia tranzystora PMOS w odniesieniu do jego napięcia bramki-źródła.

Symbol: k'_p

Pomiar: Przewodnictwo elektryczneJednostka: mS

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Transkonduktancja procesowa w PMOS

Współczynnik proporcji

Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła

Symbol: WL

Pomiar: NAJednostka: Unitless

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Współczynnik proporcji

Napięcie bramka-źródło

Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.

Symbol: V_gs

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie bramka-źródło

Próg napięcia

Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

Symbol: V_th

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Próg napięcia

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy

Iść Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Iść Opróżnij prąd w linii ładunkowej

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

Iść Chwilowy prąd drenu w odniesieniu do składowej stałej Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

Iść Chwilowy prąd drenu

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Inne formuły w kategorii Aktualny

Iść Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Iść Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Iść Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Iść Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

Ewaluator Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET używa Drain Current = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2 do oceny Prąd spustowy, Prąd drenu bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET występuje, gdy tranzystor MOSFET jest używany do projektowania wzmacniacza, działa w obszarze nasycenia. W efekcie MOSFET działa jako sterowane napięciem źródło prądu. Prąd spustowy jest oznaczona symbolem i_d.

Jak ocenić Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET, wpisz Transkonduktancja procesowa w PMOS (k'_p), Współczynnik proporcji (WL), Napięcie bramka-źródło (V_gs) & Próg napięcia (V_th) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Jaki jest wzór na znalezienie Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

Formuła Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET jest wyrażona jako Drain Current = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2. Oto przykład: 83.81 = 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2.

Jak obliczyć Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

Dzięki Transkonduktancja procesowa w PMOS (k'_p), Współczynnik proporcji (WL), Napięcie bramka-źródło (V_gs) & Próg napięcia (V_th) możemy znaleźć Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET za pomocą formuły - Drain Current = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2.

Jakie są inne sposoby obliczenia Prąd spustowy?

Oto różne sposoby obliczania Prąd spustowy-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

Czy Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET może być ujemna?

NIE, Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET zmierzona w Prąd elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

Wartość Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Miliamper[mA] dla wartości Prąd elektryczny. Amper[mA], Mikroamper[mA], Centiamper[mA] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

​IśćPrąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła

​IśćOpróżnij prąd w linii ładunkowej Formuła

Przykład Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Rozwiązanie

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Formuła Elementy

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy

Inne formuły w kategorii Aktualny

Jak ocenić Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET?

FAQs NA Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Variable Name

IśćPrąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła

IśćOpróżnij prąd w linii ładunkowej Formuła