FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Prąd drenu to prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, kontrolowany przez napięcie przyłożone do bramki. Sprawdź FAQs

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

I_D - Prąd spustowy?W - Szerokość kanału?L - Długość kanału?μ_n - Mobilność elektronów?C_ox - Pojemność tlenkowa?V_GS - Napięcie źródła bramki?V_T - Próg napięcia?V_DS - Napięcie źródła drenu?

Przykład Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS wygląda jak.

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

1675.7219A = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

1675.7219 = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

Pierwszy krok Rozważ formułę

I D = (\frac{W}{L}) \cdot μ n \cdot C ox \cdot \int ((V GS - x - V T), x, 0, V DS)

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

I D = (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot 9.92m²/V*s \cdot 3.9F \cdot \int ((29.65V - x - 5.91V), x, 0, 45V)

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

I D = (\frac{2.678}{3.45}) \cdot 9.92 \cdot 3.9 \cdot \int ((29.65 - x - 5.91), x, 0, 45)

Następny krok Oceniać

∴

I D = 1675.72193947826A

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

I D = 1675.7219A

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Formuła Elementy

Zmienne

Funkcje

Prąd spustowy

Prąd drenu to prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, kontrolowany przez napięcie przyłożone do bramki.

Symbol: I_D

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: A

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Prąd spustowy

Szerokość kanału

Szerokość kanału reprezentuje szerokość kanału przewodzącego w MOSFET-ie, bezpośrednio wpływając na ilość prądu, jaki może obsłużyć.

Symbol: W

Pomiar: DługośćJednostka: m

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Szerokość kanału

Długość kanału

Długość kanału w MOSFET-ie to odległość pomiędzy obszarem źródła i drenu, określająca łatwość przepływu prądu i wpływająca na wydajność tranzystora.

Symbol: L

Pomiar: DługośćJednostka: m

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Długość kanału

Mobilność elektronów

Mobilność elektronów w MOSFET opisuje, jak łatwo elektrony mogą przemieszczać się przez kanał, bezpośrednio wpływając na przepływ prądu dla danego napięcia.

Symbol: μ_n

Pomiar: MobilnośćJednostka: m²/V*s

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Mobilność elektronów

Pojemność tlenkowa

Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.

Symbol: C_ox

Pomiar: PojemnośćJednostka: F

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność tlenkowa

Napięcie źródła bramki

Napięcie źródła bramki to napięcie przyłożone pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora MOSFET.

Symbol: V_GS

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie źródła bramki

Próg napięcia

Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.

Symbol: V_T

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Próg napięcia

Napięcie źródła drenu

Napięcie źródła drenu to napięcie przyłożone pomiędzy zaciskiem drenu i źródła.

Symbol: V_DS

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie źródła drenu

int

Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x.

Składnia: int(expr, arg, from, to)

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Iść Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

C jsw = C j0sw \cdot x j

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

Ewaluator Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS używa Drain Current = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu) do oceny Prąd spustowy, Wzór na prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS definiuje się jako prąd płynący od zacisku drenu do zacisku źródła, kontrolowany przez napięcie przyłożone do bramki. Prąd spustowy jest oznaczona symbolem I_D.

Jak ocenić Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS, wpisz Szerokość kanału (W), Długość kanału (L), Mobilność elektronów (μ_n), Pojemność tlenkowa (C_ox), Napięcie źródła bramki (V_GS), Próg napięcia (V_T) & Napięcie źródła drenu (V_DS) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Jaki jest wzór na znalezienie Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

Formuła Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS jest wyrażona jako Drain Current = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu). Oto przykład: -23935.795961 = (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45).

Jak obliczyć Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

Dzięki Szerokość kanału (W), Długość kanału (L), Mobilność elektronów (μ_n), Pojemność tlenkowa (C_ox), Napięcie źródła bramki (V_GS), Próg napięcia (V_T) & Napięcie źródła drenu (V_DS) możemy znaleźć Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS za pomocą formuły - Drain Current = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu). W tej formule zastosowano także funkcje Całka oznaczona (int).

Czy Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS może być ujemna?

Tak, Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS zmierzona w Prąd elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

Wartość Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Amper[A] dla wartości Prąd elektryczny. Miliamper[A], Mikroamper[A], Centiamper[A] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Przykład Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Rozwiązanie

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Jak ocenić Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS?

FAQs NA Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Variable Name