FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Pojemność nakładania się odnosi się do pojemności, która powstaje pomiędzy dwoma obszarami przewodzącymi znajdującymi się blisko siebie, ale nie połączonymi bezpośrednio. Sprawdź FAQs

C oc = W c \cdot C ox \cdot L ov

C_oc - Pojemność nakładania się?W_c - Szerokość kanału?C_ox - Pojemność tlenkowa?L_ov - Długość zakładki?

Przykład Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Pokrywająca się pojemność MOSFET-u wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Pokrywająca się pojemność MOSFET-u wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Pokrywająca się pojemność MOSFET-u wygląda jak.

3.8E-7 = 10 \cdot 940 \cdot 40.6

3.8E-7μF = 10μm \cdot 940μF \cdot 40.6μm

3.8E-7 = 10 \cdot 940 \cdot 40.6

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

Pierwszy krok Rozważ formułę

C oc = W c \cdot C ox \cdot L ov

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

C oc = 10μm \cdot 940μF \cdot 40.6μm

Następny krok Konwersja jednostek

∴

C oc = 1E-5m \cdot 0.0009F \cdot 4.1E-5m

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

C oc = 1E-5 \cdot 0.0009 \cdot 4.1E-5

Następny krok Oceniać

∴

C oc = 3.8164E-13F

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

C oc = 3.8164E-07μF

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

C oc = 3.8E-7μF

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Formuła Elementy

Zmienne

Pojemność nakładania się

Pojemność nakładania się odnosi się do pojemności, która powstaje pomiędzy dwoma obszarami przewodzącymi znajdującymi się blisko siebie, ale nie połączonymi bezpośrednio.

Symbol: C_oc

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność nakładania się

Szerokość kanału

Szerokość kanału odnosi się do zakresu częstotliwości używanych do przesyłania danych w kanale komunikacji bezprzewodowej. Jest ona również nazywana szerokością pasma i jest mierzona w hercach (Hz).

Symbol: W_c

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Szerokość kanału

Pojemność tlenkowa

Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak prędkość i pobór mocy układów scalonych.

Symbol: C_ox

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność tlenkowa

Długość zakładki

Długość zakładki to średnia odległość, jaką mogą pokonać nadmiarowe nośniki, zanim ponownie się połączą.

Symbol: L_ov

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Długość zakładki

Inne formuły w kategorii Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości

Iść Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

W c = \frac{C oc}{C ox \cdot L ov}

Iść Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET

C g = C ox \cdot W c \cdot L

Iść Częstotliwość przejścia MOSFET

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

Iść Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET

G = μ s \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot V ox

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

Ewaluator Pokrywająca się pojemność MOSFET-u używa Overlap Capacitance = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki do oceny Pojemność nakładania się, Pojemność nakładania się wzoru MOSFET jest zdefiniowana jako proporcjonalna do szerokości. Jest to pojemność spowodowana średnią odległością, którą nadmiarowe nośniki mogą pokonać, zanim się połączą. Pojemność nakładania się jest oznaczona symbolem C_oc.

Jak ocenić Pokrywająca się pojemność MOSFET-u za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Pokrywająca się pojemność MOSFET-u, wpisz Szerokość kanału (W_c), Pojemność tlenkowa (C_ox) & Długość zakładki (L_ov) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Jaki jest wzór na znalezienie Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

Formuła Pokrywająca się pojemność MOSFET-u jest wyrażona jako Overlap Capacitance = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki. Oto przykład: 0.38164 = 1E-05*0.00094*4.06E-05.

Jak obliczyć Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

Dzięki Szerokość kanału (W_c), Pojemność tlenkowa (C_ox) & Długość zakładki (L_ov) możemy znaleźć Pokrywająca się pojemność MOSFET-u za pomocą formuły - Overlap Capacitance = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki.

Czy Pokrywająca się pojemność MOSFET-u może być ujemna?

NIE, Pokrywająca się pojemność MOSFET-u zmierzona w Pojemność Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

Wartość Pokrywająca się pojemność MOSFET-u jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Mikrofarad[μF] dla wartości Pojemność. Farad[μF], Kilofarad[μF], Milifarad[μF] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Pokrywająca się pojemność MOSFET-u.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Przykład Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Rozwiązanie

Pokrywająca się pojemność MOSFET-u Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości

Jak ocenić Pokrywająca się pojemność MOSFET-u?

FAQs NA Pokrywająca się pojemność MOSFET-u

Variable Name