FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET). Sprawdź FAQs

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

C_gs - Pojemność źródła bramki?W_t - Szerokość tranzystora?L_t - Długość tranzystora?C_ox - Pojemność tlenkowa?C_ov - Pojemność nakładania?

Przykład Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się wygląda jak.

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

13.75μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Układy scalone (IC) » fx Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

Pierwszy krok Rozważ formułę

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

Następny krok Konwersja jednostek

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6m \cdot 3.2E-6m \cdot 3.9F) + (5.5E-6m \cdot 2.5F)

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6 \cdot 3.2E-6 \cdot 3.9) + (5.5E-6 \cdot 2.5)

Następny krok Oceniać

∴

C gs = 1.375004576E-05F

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

C gs = 13.75004576μF

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

C gs = 13.75μF

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Formuła Elementy

Zmienne

Pojemność źródła bramki

Pojemność źródła bramki odnosi się do pojemności pomiędzy bramką a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET).

Symbol: C_gs

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność źródła bramki

Szerokość tranzystora

Szerokość tranzystora odnosi się do szerokości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.

Symbol: W_t

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Szerokość tranzystora

Długość tranzystora

Długość tranzystora odnosi się do długości obszaru kanału w MOSFET-ie. Wymiar ten odgrywa kluczową rolę w określaniu właściwości elektrycznych i wydajności tranzystora.

Symbol: L_t

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Długość tranzystora

Pojemność tlenkowa

Pojemność tlenkowa odnosi się do pojemności związanej z izolującą warstwą tlenku w strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOS), takiej jak tranzystory MOSFET.

Symbol: C_ox

Pomiar: PojemnośćJednostka: F

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność tlenkowa

Pojemność nakładania

Pojemność nakładania to pojemność pasożytnicza, która powstaje w wyniku fizycznego nakładania się pomiędzy bramką a obszarami źródła/drenu.

Symbol: C_ov

Pomiar: PojemnośćJednostka: F

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność nakładania

Inne formuły w kategorii Produkcja bipolarnych układów scalonych

Iść Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Iść Przewodność omowa zanieczyszczeń

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Iść Przewodność typu N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

Ewaluator Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się używa Gate Source Capacitance = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania) do oceny Pojemność źródła bramki, Wzór na pojemność źródła bramki przy danym nakładaniu się jest definiowany jako pojemność pomiędzy bramką a zaciskami źródła. Pojemność źródła bramki jest oznaczona symbolem C_gs.

Jak ocenić Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się, wpisz Szerokość tranzystora (W_t), Długość tranzystora (L_t), Pojemność tlenkowa (C_ox) & Pojemność nakładania (C_ov) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Jaki jest wzór na znalezienie Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

Formuła Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się jest wyrażona jako Gate Source Capacitance = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania). Oto przykład: 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).

Jak obliczyć Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

Dzięki Szerokość tranzystora (W_t), Długość tranzystora (L_t), Pojemność tlenkowa (C_ox) & Pojemność nakładania (C_ov) możemy znaleźć Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się za pomocą formuły - Gate Source Capacitance = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania).

Czy Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się może być ujemna?

NIE, Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się zmierzona w Pojemność Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

Wartość Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Mikrofarad[μF] dla wartości Pojemność. Farad[μF], Kilofarad[μF], Milifarad[μF] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Przykład Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Rozwiązanie

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Produkcja bipolarnych układów scalonych

Jak ocenić Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się?

FAQs NA Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Variable Name