FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

IśćPierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Prąd drenu 1 to prąd płynący między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanym w obwodach elektronicznych. Sprawdź FAQs

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

I_d1 - Prąd spustowy 1?I_b - Prąd polaryzacji DC?V_ov - Napięcie przesterowania?V_id - Różnicowy sygnał wejściowy?

Przykład Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami wygląda jak.

497.2355 = \frac{985}{2} + \frac{985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

497.2355mA = \frac{985mA}{2} + \frac{985mA}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

497.2355 = \frac{985}{2} + \frac{985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

Pierwszy krok Rozważ formułę

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

I d1 = \frac{985mA}{2} + \frac{985mA}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

I d1 = \frac{0.985A}{2} + \frac{0.985A}{3.12V} \cdot \frac{0.03V}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03V}^{2}}{4 \cdot {3.12V}^{2}}}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

I d1 = \frac{0.985}{2} + \frac{0.985}{3.12} \cdot \frac{0.03}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{0.03}^{2}}{4 \cdot {3.12}^{2}}}

Następny krok Oceniać

∴

I d1 = 0.497235522193922A

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

I d1 = 497.235522193922mA

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

I d1 = 497.2355mA

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami Formuła Elementy

Zmienne

Funkcje

Prąd spustowy 1

Prąd drenu 1 to prąd płynący między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanym w obwodach elektronicznych.

Symbol: I_d1

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Prąd spustowy 1

Prąd polaryzacji DC

Prąd polaryzacji DC to stały prąd, który przepływa przez obwód lub urządzenie w celu ustalenia określonego punktu pracy lub punktu polaryzacji.

Symbol: I_b

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Prąd polaryzacji DC

Napięcie przesterowania

Napięcie przesterowania to termin używany w elektronice i odnosi się do poziomu napięcia przyłożonego do urządzenia lub komponentu, który przekracza jego normalne napięcie robocze.

Symbol: V_ov

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie przesterowania

Różnicowy sygnał wejściowy

Różnicowy sygnał wejściowy odnosi się do rodzaju sygnału elektrycznego, który składa się z dwóch oddzielnych sygnałów napięciowych, z których każdy jest mierzony względem wspólnego punktu odniesienia, zwykle zwanego masą.

Symbol: V_id

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Różnicowy sygnał wejściowy

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy 1

Iść Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Inne formuły w kategorii Aktualny

Iść Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

Iść Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

Iść Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Iść Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

I t = \frac{v icm}{(\frac{1}{g m}) + (2 \cdot R out)}

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

Ewaluator Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami używa Drain Current 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2)) do oceny Prąd spustowy 1, Pierwszy prąd drenu MOSFET w formule operacji dużego sygnału wskazuje na zdolność przewodzenia prądu przez układ krzemowy; może służyć jako przewodnik przy porównywaniu różnych urządzeń. Jednak maksymalny prąd drenu nie powinien płynąć do chipa. Prąd spustowy 1 jest oznaczona symbolem I_d1.

Jak ocenić Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami, wpisz Prąd polaryzacji DC (I_b), Napięcie przesterowania (V_ov) & Różnicowy sygnał wejściowy (V_id) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Jaki jest wzór na znalezienie Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

Formuła Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami jest wyrażona jako Drain Current 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2)). Oto przykład: 497235.5 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2*sqrt(1-0.03^2/(4*3.12^2)).

Jak obliczyć Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

Dzięki Prąd polaryzacji DC (I_b), Napięcie przesterowania (V_ov) & Różnicowy sygnał wejściowy (V_id) możemy znaleźć Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami za pomocą formuły - Drain Current 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2)). W tej formule zastosowano także funkcje Pierwiastek kwadratowy (sqrt).

Jakie są inne sposoby obliczenia Prąd spustowy 1?

Oto różne sposoby obliczania Prąd spustowy 1-

Drain Current 1=DC Bias Current/2+DC Bias Current/Overdrive Voltage*Differential Input Signal/2

Czy Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami może być ujemna?

Tak, Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami zmierzona w Prąd elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

Wartość Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Miliamper[mA] dla wartości Prąd elektryczny. Amper[mA], Mikroamper[mA], Centiamper[mA] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

​IśćPierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła

Przykład Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami Rozwiązanie

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami Formuła Elementy

Inne formuły do znalezienia Prąd spustowy 1

Inne formuły w kategorii Aktualny

Jak ocenić Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami?

FAQs NA Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Variable Name

IśćPierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania Formuła