FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku. Sprawdź FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Parametr procesu produkcyjnego?N_P - Stężenie domieszkowania substratu P?C_ox - Pojemność tlenkowa?[Charge-e] - Ładunek elektronu?[Permitivity-vacuum] - Przenikalność próżni?

Przykład Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Parametr procesu produkcyjnego NMOS wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Parametr procesu produkcyjnego NMOS wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Parametr procesu produkcyjnego NMOS wygląda jak.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Parametr procesu produkcyjnego NMOS?

Pierwszy krok Rozważ formułę

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Następny krok Zastępcze wartości stałych

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Następny krok Oceniać

∴

γ = 204.204864690003

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

γ = 204.2049

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Formuła Elementy

Zmienne

Stałe

Funkcje

Parametr procesu produkcyjnego

Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.

Symbol: γ

Pomiar: NAJednostka: Unitless

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Parametr procesu produkcyjnego

Stężenie domieszkowania substratu P

Stężenie domieszkowania substratu P to liczba zanieczyszczeń dodanych do substratu. Jest to całkowite stężenie jonów akceptorowych.

Symbol: N_P

Pomiar: Koncentracja nośnikówJednostka: 1/cm³

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Stężenie domieszkowania substratu P

Pojemność tlenkowa

Pojemność tlenkowa jest ważnym parametrem wpływającym na wydajność urządzeń MOS, takim jak szybkość i pobór mocy układów scalonych.

Symbol: C_ox

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Pojemność tlenkowa

Ładunek elektronu

Ładunek elektronu jest podstawową stałą fizyczną, reprezentującą ładunek elektryczny przenoszony przez elektron, będący cząstką elementarną o ujemnym ładunku elektrycznym.

Symbol: [Charge-e]

Wartość: 1.60217662E-19 C

Przenikalność próżni

Przepuszczalność próżni jest podstawową stałą fizyczną opisującą zdolność próżni do przenoszenia linii pola elektrycznego.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wartość: 8.85E-12 F/m

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Iść Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

v d = μ n \cdot E L

Iść NMOS jako rezystancja liniowa

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Iść Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Iść Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Parametr procesu produkcyjnego NMOS?

Ewaluator Parametr procesu produkcyjnego NMOS używa Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa do oceny Parametr procesu produkcyjnego, Parametr procesu wytwarzania NMOS to proces rozpoczynający się od utleniania podłoża silikonowego, w którym na powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku. Parametr procesu produkcyjnego jest oznaczona symbolem γ.

Jak ocenić Parametr procesu produkcyjnego NMOS za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Parametr procesu produkcyjnego NMOS, wpisz Stężenie domieszkowania substratu P (N_P) & Pojemność tlenkowa (C_ox) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Jaki jest wzór na znalezienie Parametr procesu produkcyjnego NMOS?

Formuła Parametr procesu produkcyjnego NMOS jest wyrażona jako Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa. Oto przykład: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Jak obliczyć Parametr procesu produkcyjnego NMOS?

Dzięki Stężenie domieszkowania substratu P (N_P) & Pojemność tlenkowa (C_ox) możemy znaleźć Parametr procesu produkcyjnego NMOS za pomocą formuły - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa. W tej formule używane są także funkcje Ładunek elektronu, Przenikalność próżni stała(e) i Pierwiastek kwadratowy (sqrt).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Przykład Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Rozwiązanie

Parametr procesu produkcyjnego NMOS Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Jak ocenić Parametr procesu produkcyjnego NMOS?

FAQs NA Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Variable Name