FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

IśćNapięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym. Sprawdź FAQs

v o1 = - (R out \cdot I t)

v_o1 - Napięcie drenu Q1?R_out - Rezystancja wyjściowa?I_t - Całkowity prąd?

Przykład Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET wygląda jak.

-34.65 = - (4.5 \cdot 7.7)

-34.65V = - (4.5kΩ \cdot 7.7mA)

-34.65 = - (4.5 \cdot 7.7)

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET?

Pierwszy krok Rozważ formułę

v o1 = - (R out \cdot I t)

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

v o1 = - (4.5kΩ \cdot 7.7mA)

Następny krok Konwersja jednostek

∴

v o1 = - (4500Ω \cdot 0.0077A)

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

v o1 = - (4500 \cdot 0.0077)

Ostatni krok Oceniać

∴

v o1 = -34.65V

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET Formuła Elementy

Zmienne

Napięcie drenu Q1

Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym.

Symbol: v_o1

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie drenu Q1

Rezystancja wyjściowa

Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.

Symbol: R_out

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Rezystancja wyjściowa

Całkowity prąd

Całkowity prąd to termin używany w elektrotechnice i fizyce w odniesieniu do sumy wszystkich prądów elektrycznych przepływających przez określony punkt obwodu lub przewodnika.

Symbol: I_t

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Całkowity prąd

Inne formuły do znalezienia Napięcie drenu Q1

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Inne formuły w kategorii Napięcie

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Iść Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

V cin = (\frac{I t}{g m}) + (2 \cdot I t \cdot R out)

Iść Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

V th = V gs - V eff

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET?

Ewaluator Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET używa Drain Voltage Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd) do oceny Napięcie drenu Q1, Napięcie wyjściowe w drenach Q1 wzoru MOSFET jest definiowane jako napięcie uwalniane przez urządzenie, takie jak regulator napięcia lub generator. Napięcie drenu Q1 jest oznaczona symbolem v_o1.

Jak ocenić Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET, wpisz Rezystancja wyjściowa (R_out) & Całkowity prąd (I_t) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Jaki jest wzór na znalezienie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET?

Formuła Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET jest wyrażona jako Drain Voltage Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd). Oto przykład: -34.65 = -(4500*0.0077).

Jak obliczyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET?

Dzięki Rezystancja wyjściowa (R_out) & Całkowity prąd (I_t) możemy znaleźć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET za pomocą formuły - Drain Voltage Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd).

Jakie są inne sposoby obliczenia Napięcie drenu Q1?

Oto różne sposoby obliczania Napięcie drenu Q1-

Drain Voltage Q1=-Output Resistance*(Transconductance*Common Mode Input Signal)/(1+(2*Transconductance*Output Resistance))

Czy Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET może być ujemna?

Tak, Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET?

Wartość Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka